<tbody id="zq23j"><nobr id="zq23j"></nobr></tbody><menuitem id="zq23j"></menuitem><menuitem id="zq23j"></menuitem>
    <progress id="zq23j"><bdo id="zq23j"></bdo></progress>
    <track id="zq23j"></track>
  1. <tbody id="zq23j"><div id="zq23j"><address id="zq23j"></address></div></tbody>
  2. 歡迎訪問南通華林科納半導體設備技術有限公司官網
    手機網站
    始于90年代末

    濕法制程整體解決方案提供商

    --- 全國服務熱線 --- 0513-87733829
    產品中心 Products
    0513-87733829
    聯系電話
    聯系我們
    掃一掃
    QQ客服
    SKYPE客服
    旺旺客服
    新浪微博
    分享到豆瓣
    Products 產品詳情
    產品名稱:

    旋轉式噴鍍臺-CSE

    上市日期: 2017-12-06

    ?旋轉式噴鍍臺

    結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。

    傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:

    圖片4.png圖片5.png

    從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。

    傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢

    斜式三角鍍槽結構

    本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。

    圖片6.png

    ?

    南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。

    實現的主要工藝指標:最大晶圓直徑6寸(可實現2450100mm方片鍍制);凸點高度一致性可達到3.4%以下(以6寸圓片為準)

    旋轉式噴鍍臺-CSE

    旋轉式噴鍍臺-CSE

    設備名稱

    南通華林科納CSE-旋轉噴鍍臺

    工藝類型:

    電鍍:AU、CU、SN

    應用:

    半導體/MEMS/LED等微電子領域設計

    和制造的

    基本描述:

    根據客戶要求,在設備中設置相應電鍍工位及清洗活化工位。其設備特點如下:

    適應多尺寸樣片的電鍍。

    適合研發和批量生產。

    單元化和人性化設計,提供設備使用的靈活性。

    從設計到材料和加工來保證設備的質量和可靠性。

    設備制造商

    南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com?400-8768-096 ;18913575037

    更多晶圓電鍍臺可以關注南通華林科納半導體設備官網www.jeans-you.com;現在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案

    Hot Products / 熱賣產品 More
    2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內...
    2016 - 03 - 08
    IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: ...
    2016 - 03 - 07
    刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越...
    Copyright ©2005 - 2013 南通華林科納半導體設備有限公司
    犀牛云提供企業云服務
    南通華林科納半導體設備有限公司
    地址:中國江蘇南通如皋城南街道新桃路90號
    電話: 400-876- 8096
    傳真:0513-87733829
    郵編:330520
    Email:xzl1019@aliyun.com       www.jeans-you.com


    X
    3

    SKYPE 設置

    4

    阿里旺旺設置

    2

    MSN設置

    5

    電話號碼管理

    • 0513-87733829
    6

    二維碼管理

    8

    郵箱管理

    展開
    万金彩票