在材料加工科學的不斷推動下，半導體器件和集成電路制作工藝取得了長足進步，發生了巨大變化，但是其中的濕法清洗工藝作為最為有效的半導體晶片洗凈技術，一直未能被取代。隨著晶片表面潔凈要求的不斷提高，清洗工藝的焦點已逐步由清洗液、兆聲波等轉移到晶片干燥上。干燥作為濕法清洗的最后一個步驟，最終決定了晶片的表面質量，是清洗工藝的核心所在。
在各種晶片的干燥中，尤以襯底拋光片的干燥最為困難，它不僅要求表面達到脫水效果，還要避免在表面留下任何水痕缺陷或顆粒。為達到這種要求，以設備為依托的各類干燥技術發展迅速。
1.1離心甩干技術
離心甩干是通過外力使晶片短時間內達到高速旋轉的狀態，晶片表面的水受到離心力作用而從表面消失的干燥技術。這種干燥方式由于簡單可靠，在晶片清洗領域得到了廣泛應用。根據晶片運動方式的不同，離心甩干又分為立式離心甩干和水平式離心甩干（見圖 1 和圖 2），雖然二者的脫水原理相似，但是由于運動方式的不同，在工藝上有很大的差異。為保證晶片的潔凈，一般在干燥步驟之前，會增加一步藥液、去離子水旋轉噴淋過程，對表面進行二次潔凈。為保證干燥效果，甩干過程中將引入熱氮氣，對晶片進行吹拂。
![半導體常見干燥方式應用對比]( "半導體常見干燥方式應用對比")
影響甩干效果的因素有很多，如轉速的設置， 氮氣的流量，排氣通路的設計、腔體的密閉性和旋轉產生的共振等。
離心甩干的優點是技術成熟穩定，干燥后的表面均一性好，不易產生水印；缺點是僅適合半導體前道的裸片或外延片，對于存在深窄溝渠的晶圓， 干燥效果并不理想，而且由于制程中的高速旋轉， 會影響晶片的機械強度，不適合超薄晶片的干燥。
1.2IPA干燥
IPA干燥是一種利用 IPA （異丙醇）加熱汽化、蒸發及表面張力作用達到脫水干燥目的的技術，其工作原理如圖 3 所示。
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在 IPA Vapor 系統是由三部分組成的，蒸汽槽、蒸汽區和冷凝槽。蒸汽槽中的 IPA 在加熱器的作用下形成蒸汽，蒸汽向上形成濃度、溫度相對穩定的蒸汽區，最上層則是冷卻水管構成的冷凝區。晶片在干燥之前，需要浸入 IPA 液體中，由于互溶性，晶片表面的水會溶解到 IPA 中，取而代之的是液態的 IPA。晶片通過鏈條在系統中升降，到達蒸汽區時，由于晶片溫度低，蒸汽在表面凝結，形成大量液態 IPA 淋洗表面，晶片溫度升高后，攜帶 I- PA 蒸汽的晶片回到冷凝區，IPA 蒸汽冷凝液化， 通過重力、表面張力和揮發等多重作用離開表面， 實現干燥的效果。
受溫度、升降行程和時間等多方面影響，尤其是 IPA 的純度，對干燥效果有著至關重要的影響。這種干燥方法避免了晶片的高速旋轉， 在一定程度上與甩干機互補，但是由于 IPA 用量很大，成本高，安全性差，已逐漸被新型干燥方式所取代。
1.3Marangoni?干燥
這是基于 Marangoni 效應發展起來的干燥技術。典型的 Marangoni 干燥過程如圖 4 所示。晶片進入干燥系統后，在水槽內溢流。由氮氣攜帶 IPA 氣體充滿系統，在水面上形成 IPA 氣體環境。隨后晶片與水面緩慢脫離（可通過晶片提拉上升或緩慢排水兩種方式實現） 由于 IPA 的表面張力比水小得多（25 ℃下，IPA 表面張力為 20.9×10-3? N/m；水的表面張力為 72.8×10-3? N/m），所以會在坡狀水流表層形成表面張力梯度，產生 Marangoni 對流，水被“吸回”水面，如圖 5 所示。
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雖然同樣是 IPA 干燥，但是 Marangoni 干燥與 IPA Vapor 干燥有本質的不同，前者是通過表面張力梯度將水拉回水面，后者則是靠水的蒸發。 相比于IPA Vapor 干燥 ，Marangoni 干燥IPA 用量很少，且能夠克服深窄溝渠的脫水困難，比較適合直徑 150 mm ( 6 英寸) 以上晶片的干燥。Marangoni 干燥存在的問題是晶片易出現水痕缺陷，晶片與晶舟接觸處、晶片下方是常見的水痕區域 。為消除水痕缺陷，這類設備中一般配備簡易晶舟，以減少晶片與晶舟的接觸面積，另外，采用溫水浴、超聲波震蕩 IPA Bub- bler 和變速提拉等也是常用的消除水痕缺陷的手段。
干燥受多種因素影響，如晶片的提拉速度，IPA/N2? 流量和排風的設置等，因此此種方法技術難度較高。
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