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    濕法制程整體解決方案提供商

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    發布時間: 2016 - 03 - 14
    2設備構成及詳細技術說明2.1工藝說明 2.2.臺面結構圖如下      3.設備說明3.1 排風系統?●排風裝置(排風壓力、風量根據實際情況或客戶要求設計)將設備內揮發的有毒氣體抽到車間排風管道或戶外(室外排放遵守國家環保要求),避免擴散到室內;?●排風通道內設有風量導流板,從而使排風效果達到最佳;?●本體頂部后方自帶強力抽風1個風道口裝置(每個藥劑槽對應一個),排風口直徑大于或等于 200mm 與本體焊成一體;?●排風口處設有手動調節風門,操作人員可根據情況及時調節排風量;3.2設備防護門:?●本體前方安裝有防護隔離門,隔離門采用透明PVC板制成,前門可以輕松開合,在清洗過程中,隔離門關閉,以盡量改善工作環境并減小對人體的傷害. ?●形式:上下推拉門。3.3 給排水/廢液系統?●給水管路為一路去離子水;?●給排水排廢接頭均為活性連接;?●排放方式均采用氣動控制的方式來保證安全3.4 電氣控制系統?●采用優質PLC可編程控制器控制全操作過程, ?●人機界面為觸摸屏,接口中有手動操作、故障報警、安全保護等功能,各工作位過程完成提前提示報警,觸摸屏選用優質產品;?●觸摸屏加鎖定,以防非授權人員修改或設定參數;?●所有電控部分需獨立封閉,帶抽風系統,獨立的配電柜?●設備照明:設備其它部位--低電壓燈,根據工作需要可控照明;?●設備整體采取人性化設計,方便操作;并裝有漏電保護和聲光報警提示裝置,保證性能安全可靠;電控部分導線采用耐高溫、耐腐蝕的專用導線,電氣控制部分內部還通有壓縮空氣保護,可防水耐腐蝕;?●設備所有處于腐蝕腔中的線纜均通過PE管進行保護,免受腐蝕;?●設備具有良好的接地裝置;
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    半導體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設計(上)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途在半導體制造中,許多芯片工藝步驟采用光刻技術,用于這些步驟的圖形“底片”稱為掩膜,其作用是:在硅片上選定的區域中對一個不透明的圖形模板遮蓋,繼而下面的腐蝕或擴散將只影響選定的區域以外的區域。↑  掩膜通常在光罩上形成圖形的基本步驟和硅片相似,一般來說光罩的制作分為數據處理部分和工藝制造部分。↑  光掩膜制作流程1、數據轉換:將如GDSII版圖格式分層,運算,格式轉換為光刻設備所知的數據形式;2、圖形產生:通過電子束或激光進行圖形曝光;3、光阻顯影:曝光多余圖形, 以便進行蝕刻;4、鉻層刻蝕對鉻層進行刻蝕, 保留圖形;5、去除光阻去除多余光刻膠;6、尺寸測量測量關鍵尺寸和檢測圖形定位;7、初始清洗清洗并檢測作為準備;8、缺陷檢測檢測針孔或殘余未蝕刻盡的圖形;9、缺陷補償對缺陷進行修補;10、再次清洗清洗為加保護膜版作準備;11、加保護膜保護膜加在主體之上, 這防止灰塵的吸附及傷害;12、最后檢查對光掩膜作最后檢測工作, 以確保光罩的正確。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 03
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    半導體制造工藝 —— 硅片的生產過程↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途單晶硅片制備階段,需要將硅單晶棒加工成具有高面型精度和表面質量的原始硅片或光片,為IC前半制程中的光刻等工序準備平坦化超光滑無損傷的襯底表面。對直徑Φ≤ 200mm的硅片,傳統的硅片加工工藝流程為:單晶生長→切斷→外徑滾磨→切片→倒角→研磨→腐蝕→拋光→清洗→包裝。↑  硅片加工工藝流程延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 11 - 26
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    華林科納生產的清洗機中,QDR 快排沖洗槽是不可缺少的一部分,它主要用于去除晶圓表面微粒雜質和殘留化學藥液,使晶圓表面潔凈。QDR 是晶圓濕法清洗中最重要的一個清洗工藝模塊,主要由噴淋槽、溢流槽、勻流板、快排汽缸體、噴嘴噴管、管路和管件等組成。↑ QDR 示意圖槽體由進口 NPP 板材焊接加工而成,由安裝在槽體底部的快排汽缸、底部 DI 水注入孔及頂部左右兩側的 DI 水噴嘴實現槽體的快速注入與排放,有氮氣鼓泡功能。在溢流排放口安裝有 DIW 電阻率檢測儀,可對沖洗溢流的水質適時檢控。一、噴淋管路上噴淋管路共有兩路, 形成相互交叉噴淋,但去離子水不宜直接噴淋沖洗晶圓表面,因晶圓在水蝕作用下直接噴淋晶圓表面,易產生微粒污泥而污染晶圓表面,因此,在去離子水的噴淋過程中,需要對沖洗水壓、水量、方向和角度作出調整測試,以達到微粒污染少的最佳效果。 良好的噴嘴所噴淋范圍涵蓋全部晶圓及片盒; 而不良的噴淋沖洗形狀,沒有涵蓋全部晶圓及片盒, 未被噴淋沖洗的死角地帶,微粒、雜質及化學藥液殘留含量仍然很高,而達不到良好的清洗效果。二、氮氣鼓泡上噴淋同時, 下噴淋管路由底部兩側不斷進水,而后由內槽上沿四周溢出,這樣,每個晶圓片縫、各處邊角的去離子水都能連續得到更新。 同時,純凈氮氣由下噴淋管路進入槽體。 氮氣鼓泡有以下幾個作用:(1)增加了去離子水的沖刷力,對槽體本身有很好的自清洗作用;(2)晶圓在水...
    發布時間: 2018 - 11 - 20
    瀏覽次數:500
    濕法腐蝕是半導體行業生產加工中不可或缺的工藝,是利用化學反應腐蝕特定區域的硅進行刻蝕,其中,SiO2的腐蝕是用HF來實現的,藥液一般有BOE、HF、DHF等。由于腐蝕速度快,因而均使用 NH4F(氟化銨)作為緩沖劑來減慢腐蝕速度。普通叫做緩沖腐蝕。此種工藝在常溫下進行,而根據我國南北方生產的需要為了維持常溫,在北方,往往要配合小功率(200~300 W)的投入式加熱器,以防止反應結晶;而在南方則需加入冷卻盤管,以適當控制溫度。一般工藝槽體材質選用 PVDF 材質。除此之外,管路中還需接入泵來提供藥液的循環動力。由于隔膜泵在連續不間斷工作時膜片使用壽命較短,更換膜片頻繁,目前這種應用方式逐漸被風囊泵所取代。因此藥液的循環過濾:由風囊泵、過濾器、循環溢流槽、閥門、管件等組成藥液的循環系統。實現藥液的循環過濾,保證工藝槽藥液溫度和濃度的均勻性。↑ 二氧化硅腐蝕的循環管路示意圖近幾年來,伴隨著硅片的大直徑化,器件結構的超微小化、高集成化,華林科納適應著時代的發展,在不斷的競爭中,有廣泛的市場前景和發展空間。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 11 - 19
    瀏覽次數:151
    華林科納研發的單片清洗設備已升級為單腔多層的機臺類型,可以支持多種溶液在一個反應腔里相繼進行腐蝕清洗工作。該設備里配有承接晶片的承片臺,它載著硅片變換不同的高度。在不同高度處,會有不同的溶液噴到正在旋轉的晶片表面,完成特定的功能后按不同的溶液回收到不同的回收區域,酸液即可被循環使用。↑ 單腔多層腔體結構示意圖延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 11 - 15
    瀏覽次數:148
    旋轉噴淋清洗是浸入型清洗的變型。系統中一般包括自動配液系統、清洗腔體、廢液回收系統。噴淋清洗在一個密封的工作腔內一次完成化學清洗、去離子水沖洗、旋轉甩干等過程,減少了在每一步清洗過程中由于人為操作因素造成的影響。在噴淋清洗中由于旋轉和噴淋的效果,使得硅片表面的溶液更加均勻,同時,接觸到硅片表面的溶液永遠是新鮮的,這樣就可以做到通過工藝時間設置,精確控制硅片的清洗腐蝕效果,實現很好的一致性。密封的工作腔可以隔絕化學液的揮發,減少溶液的損耗以及溶液蒸氣對人體和環境的危害。各系統分別貯于不同的化學試劑,在使用時到達噴口之前才混合,使其保持新鮮,以發揮最大的潛力,這樣在清洗時會反應最快。用N2噴時使液體通過很小的噴口,使其形成很細的霧狀,至硅片表面達到更好的清洗目的。此方法適用于除去氧化膜或有機物。因為化學物質在硅片表面停留的時間比較短,對反應需要一定時間的清洗效果不好。在噴洗過程中所使用的化學試劑很少,對控制成本及環境保護有利。延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 11 - 12
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    國外經典半導體工藝視頻:晶圓表面電路的設計(下)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 03
    瀏覽次數:73
    華林科納晶圓電鍍設備分兩個系列, CPE(半自動)/CPEA(全自動),主要 用于半導體晶圓凸點UBM金屬層制作 以及陶瓷基板上的金屬層的電鍍; 還 可用于硅片制造中表層剝離、去除雜 質以及大尺寸圖形腐蝕等方面。? 目前,比較典型的凸點制作工藝流程主要包括焊料凸點制作和金凸點制作。? 焊料凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射Ti/Cu→光刻1→電鍍Cu/Ni→去膠→腐蝕→介質制作→光刻2→腐蝕介質→去膠→濺射Ti/Cu→光 刻3→鍍Cu/Ni→鍍焊料→去膠→腐蝕Cu→腐蝕Ti→硅片回流→檢測凸點→劃片分割→成品。? 金凸點制作工藝流程: ? 清洗→濺射TiW/Au→厚膠光刻→掃膠→電鍍Au→去膠→清洗→腐蝕Au→腐蝕TiW→退火→檢測→成品。? 一般來說,凸點制備過程中,主要采用電鍍銅、鎳、金、錫鉛、錫銀等鍍種,一些特殊的凸點工藝還使用金錫、 錫、銀、銦、化學鍍鎳等鍍種。 更多的半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 11 - 02
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    刻蝕的目的是把經曝光、顯影后光刻膠微圖形中下層材料的裸露部分去掉,即在下層材料上重現與光刻膠相同的圖形。刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡...
    發布時間: 2016 - 07 - 25
    瀏覽次數:367
    光刻的作用是把掩模版上的圖形轉換成晶圓上的器件結構,它對集成電路圖形結構的形成,如各層薄膜的圖形及摻雜區域等,均起著決定性的作用。 光刻的基本流程:前處理——涂膠——對版曝光——顯影——顯影檢查——后烘——腐蝕——腐蝕檢查——去膠——檢驗歸批。前處理硅片容易吸附潮氣到它的表面,硅片暴露在潮氣中叫做親水性。對于光刻膠的粘附性,具有干燥成疏水性的硅片表面非常重要,所以在成底膜和光刻膠旋涂前要進行脫水烘焙。典型的烘焙是在傳統的充滿惰性氣體(如氮氣)的烘箱或者真空烘箱中完成,實際的烘焙溫度是可變的,常用的溫度是200—250℃。脫水后的硅片馬上要用OAP (常用HMDS溶液:六甲基二硅胺烷)成底膜進行表面處理,它起到提高粘附力的作用。在硅片成底膜操作后盡快涂膠,使潮氣問題達到最小化。成底膜的方法有:1、滴浸潤液和旋涂:溫度和用量容易控制,但系統需要排液和排氣裝置,HMDS溶液消耗量大。2、噴霧分滴和旋轉:優點是噴霧有助于硅片上顆粒的去除,缺點是處理時間長和HMDS消耗大。3、氣相成底膜和脫水烘焙:最常用,氣相成底膜一般200—250℃下約30S完成。優點是由于沒有與硅片接觸減少了來自液體HMDS顆粒沾污的可能,HMDS的消耗量也小。一種方法是先進行脫水烘焙,再將單個硅片置于熱板上通過熱傳導熏蒸形成底膜,這種方法優點是硅片由里向外烘焙,低缺陷密度,均勻加熱和可重復性。另一種方法是以...
    發布時間: 2016 - 07 - 25
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