<tbody id="zq23j"><nobr id="zq23j"></nobr></tbody><menuitem id="zq23j"></menuitem><menuitem id="zq23j"></menuitem>
    <progress id="zq23j"><bdo id="zq23j"></bdo></progress>
    <track id="zq23j"></track>
  1. <tbody id="zq23j"><div id="zq23j"><address id="zq23j"></address></div></tbody>
  2. 歡迎訪問南通華林科納半導體設備技術有限公司官網
    手機網站
    始于90年代末

    濕法制程整體解決方案提供商

    --- 全國服務熱線 --- 0513-87733829



    新聞資訊 新聞中心
    0513-87733829
    聯系電話
    聯系我們
    掃一掃
    QQ客服
    SKYPE客服
    旺旺客服
    新浪微博
    分享到豆瓣
    推薦產品 / 產品中心
    發布時間: 2016 - 03 - 10
    太陽能硅片制絨腐蝕清洗機-CSE在光伏發電領域,由于多晶硅電池片成本較低,其 市 場 占有率已躍居首位,但相對于單晶硅電池片而言仍存在著反 射率較高、電池效率不足的缺陷。為縮小多晶硅太陽能電池 片與單晶硅太陽能電池片之間的差距,采用織構化多晶硅表 面的方法提高多晶硅片吸光能力是一條行之有效的途徑。目前,多晶硅表面織構化的方法主要有機械刻槽、激光刻槽、反應離子體蝕刻、酸腐蝕制絨等,其中各 向同性酸腐制絨技術的工藝簡單,可以較容易地整合到多晶 硅太陽能電池的生產工序中,同時成 本 最 低,因 而 在 大 規 模 的工業生產中得到了廣泛的應用。更多的太陽能硅片制絨腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 12 - 05
    花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系統優點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒)三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒清洗產能:每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒清洗產能:每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup)加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒)清洗產能:每小時18組前端開口片盒(Foup片盒) 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒,或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統對自鎖裝置的檢測,達到安全加載片盒和花籃,及其運行特征和優點可應用不同化學品(稀釋劑)來清洗 泵傳輸清洗液 計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽(循環泵和加熱棒用于熱水預備槽—選項) 籠子 帶有可變速旋轉的控制的高扭矩伺服電機(按照加載量和設備配置,最大旋轉速度200rpm,) 旋轉的不銹鋼籠子 會自動停止工作(運行過程中出現失衡狀態時)熱空氣干燥 頂端吹下熱空氣 采用根據設備待機和工藝運行模式的可調風量的風扇裝置 不銹鋼架上裝有加熱器,可以溫度控制 軟件監控溫度 帶有反壓控制的高效過濾器輔助功能和操作控制 觸摸屏安裝在前面—標準化 也...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    RCA濕法腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產企業密切合作,研制開發出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備設 備 名  稱南通華林科納CSE-RCA濕法腐蝕清洗機使 用 對 象硅晶片2-12inch適 用 領  域半導體、太陽能、液晶、MEMS等設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備主體構造特點1. 設備包括:設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統配套的接口等。2.設備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環境中3.主體:設備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環境中;4.骨 架:鋼骨架+PP德國勞施領板組合而成,防止外殼銹蝕。5.儲物區:位于工作臺面左側,約280mm寬,儲物區地板有漏液孔和底部支撐;6.安全門:前側下開透明安全門,腳踏控制;7.工藝槽:模組化設計,腐蝕槽、純水沖洗槽放置在一個統一的承漏底盤中。底盤采用滿焊接工藝加工而成,杜絕機臺的滲漏危險;8.管路系統:位于設備下部,所有工藝槽、管路、閥門部分均有清晰的標簽注明;藥液管路采用PFA管,純水管路采用白色NPP噴淋管,化學腐蝕槽廢液、沖洗廢水通過專用管道排放;9.電氣保護:電器控制、氣路控制和工藝槽控制部份在機臺頂部電控區,電氣元件有充分的防護以免酸霧腐蝕以保障設備性能運行穩定可靠;所有可能與酸霧接觸的...
    發布時間: 2020 - 04 - 21
    拋光液供液系統//拋光液供酸系統//拋光液供液設備//拋光液供酸設備設備功能1.提供拋光液和表面活性劑供應緩存桶,從而保證設備工藝流量穩定;2.提供溫度,PH值控制,以滿足拋光設備的工藝需求;3.滿足stock slurry循環使用需求;特點:1.所有Tank箱體采用SUS304框架+米黃PVC 保管,需配置排氣,排液,排漏以及漏液檢測報警。2.Tank材質采用NPP或PVDF以上,管道使用PFA,選用材料對slurry無顆粒和金屬污染(包括Pump內部與Slurry接觸部分);3.Stock slurry tank配置chiller(指定ORION CHILLER)和heater,4.Tank內的 Slurry 以及Surfactant處于常時循環狀態, 供應設備管路末端有壓力表;5.為檢測Tank內 Slurry 以及Surfactant的容量(Level), 配置***個**液位傳感器;6.所有Tank配置水槍,同時slurry桶上部能開啟,以方便沖洗Tank。7.所有的 Tank內要配置溫度和PH sensor,同時需要將數據同步傳送給設備主機;8.Tank使用控制面板進行顯示和操作控制。 供液泵使用磁力泵或磁浮泵,滿足現場實際揚程,流量等能力需求。9. 每個tank外部供應管路配置有自動配送閥并由設備自我控制。更多拋光液供液系統//拋光液供酸系統//拋光液供液設備//拋光液供酸設備可以關注南通華林科納半導體設備有限公司官網www.jeans-you.com,熱線0513-87733829
    發布時間: 2017 - 12 - 19
    片盒清洗機-華林科納CSE 設備概況:主要功能:本設備主要手動/自動搬運方式,通過對片盒化學液體浸泡、沖洗、漂洗、鼓泡、快排等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果。設備名稱:片盒清洗機設備型號:CSE-SC-N259整機尺寸(參考):約1700mm(L)×1400mm(W)×2000mm(H);(該設備非標定制)操作形式:手動 設備組成該設備主要由清洗部分、抽風系統及電控部分組成 設備描述此裝置是一個手動的處理設備;設備前上方有各閥門、工藝流程的控制按鈕、指示燈、觸摸屏(PROFACE/OMRON)、音樂盒等,操作方便;主體材料:德國進口 10mmPP 板,優質不銹鋼骨架,外包 3mmPP 板防腐;臺面板為德國 10mm PP 板;DIW 管路及構件采用日本進口 clean-PVC 管材,需滿足 18MW去離子水水質要求;采用國際標準生產加工,焊接組裝均在萬級凈化間內完成排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸照明安全考慮:1. 設有 EMO(急停裝置)2. 強電弱點隔離3. 所有電磁閥均高于工作槽體工作液面4. 設備排風口加負壓檢測表5. 設備三層防漏 漏盤傾斜 漏液報警 設備整體置于防漏托盤內 更多的花籃和片盒清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096 18913575037可立即獲取免費的片盒清洗機解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    自動供液系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2016 - 06 - 13
    設備名稱:晶棒腐蝕機---CSE產品描述:        ●此設備自動化程度高,腐蝕清洗裝置主要由水平通過式腐蝕清洗主體(槽體部分/管路部分等),移動機械傳送裝置,CDS系統,抽風系統,電控及操作臺等部分組成;         ●進口優質透明PVC活動門(對開/推拉式),保證設備外部環境符合勞動保護的相關標準,以保證設備操作人員及其周圍工作人員的身體健康;         ●機械臂定位精度高;         ●整體設備腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;         ●設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作.         ●非標設備,根據客戶要求具體定制,歡迎詳細咨詢!更多半導體清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.hlcas.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    新聞中心 新聞資訊
    集成電路集成電路(英語:integrated circuit,縮寫作 IC;德語:integrierter Schaltkreis),或稱微電路(microcircuit)、微芯片(microchip)、晶片/芯片(chip)在電子學中是一種把電路(主要包括半導體設備,也包括被動組件等)小型化的方式,并時常制造在半導體晶圓表面上。前述將電路制造在半導體芯片表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)[1][注 1]是由獨立半導體設備和被動組件,集成到襯底或線路板所構成的小型化電路[注 2]。本文是關于單片(monolithic)集成電路,即薄膜集成電路。從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代集成電路是由杰克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯,卻早于1990年就過世。
    發布時間: 2019 - 01 - 09
    瀏覽次數:53
    刻蝕刻蝕(英語:etching)是半導體器件制造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對于器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現失誤,將造成難以恢復的硅片報廢,因此必須進行嚴格的工藝流程控制。半導體器件的每一層都會經歷多個刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻,光刻對材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清潔度。 但是,對于電子束刻蝕,由于電子的波長極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因為不需要掩模板,因此對平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設備昂貴。對于大多數刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會通過“罩”予以保護,這種罩不能被刻蝕,這樣就能對層上的特定部分進行選擇性地移除。在有的情況中,罩的材料為光阻性的,這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中,刻蝕罩需要耐受某些化學物質,氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”。
    發布時間: 2019 - 01 - 08
    瀏覽次數:48
    摻雜 (半導體)摻雜(英語:doping)是半導體制造工藝中,為純的本征半導體引入雜質,使之電氣屬性被改變的過程。引入的雜質與要制造的半導體種類有關。輕度和中度摻雜的半導體被稱作是雜質半導體,而更重度摻雜的半導體則需考慮費米統計律帶來的影響,這種情況被稱為簡并半導體。載流子濃度摻雜物濃度對于半導體最直接的影響在于其載流子濃度。在熱平衡的狀態下,一個未經摻雜的本征半導體,電子與空穴的濃度相等,如下列公式所示:n=p=ni對于非本征半導體在熱平衡的狀態下,這個關系變為(對輕摻雜而言):n0 · p0=ni2其中n0是半導體內的電子濃度、p0則是半導體的空穴濃度,ni則是本征半導體的載流子濃度。 ni會隨著材料或溫度的不同而改變。對于室溫下的硅而言, ni大約是1.5×1010cm-3 。通常摻雜濃度越高,半導體的導電性就會變得越好,原因是能進入導帶的電子數量會隨著摻雜濃度提高而增加。摻雜濃度非常高的半導體會因為導電性接近金屬而被廣泛應用在今日的集成電路制程來取代部分金屬。高摻雜濃度通常會在n或是p后面附加一上標的“+”號,例如 n+ 代表摻雜濃度非常高的n型半導體,反之例如 p-則代表輕摻雜的p型半導體。需要特別說明的是即使摻雜濃度已經高到讓半導體退化為導體,摻雜物的濃度和原本的半導體原子濃度比起來還是差距非常大。以一個有晶格結構的硅本征半導體而...
    發布時間: 2019 - 01 - 08
    瀏覽次數:67
    半導體光刻工藝 ——  光刻工藝步驟↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 25
    瀏覽次數:50
    半導體清洗工藝 ——  RCA濕法清洗工藝↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 25
    瀏覽次數:65
    半導體制造工藝 —— 光刻是如何進行的(下)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 10
    瀏覽次數:69
    半導體制造工藝 —— 光刻是如何進行的(中)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 10
    瀏覽次數:58
    半導體制造工藝 —— 光刻是如何進行的(上)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 03
    瀏覽次數:86
    半導體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設計(下)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 03
    瀏覽次數:71
    半導體制造工藝 —— 晶圓表面電路的設計(中)↑  此文件僅供參考學習,勿用于商業用途延展閱讀★華林科納公司簡介★華林科納行業新聞★華林科納產品中心★華林科納人才招聘★半導體小課堂
    發布時間: 2018 - 12 - 03
    瀏覽次數:78
    Copyright ©2005 - 2013 南通華林科納半導體設備有限公司
    犀牛云提供企業云服務
    南通華林科納半導體設備有限公司
    地址:中國江蘇南通如皋城南街道新桃路90號
    電話: 400-876- 8096
    傳真:0513-87733829
    郵編:330520
    Email:xzl1019@aliyun.com       www.jeans-you.com


    X
    3

    SKYPE 設置

    4

    阿里旺旺設置

    2

    MSN設置

    5

    電話號碼管理

    • 0513-87733829
    6

    二維碼管理

    8

    郵箱管理

    展開
    万金彩票