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    發布時間: 2016 - 11 - 02
    全自動濕法去膠清洗機-南通華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產企業密切合作,研制開發出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備 設備名稱南通華林科納CSE-全自動濕法去膠清洗機設備設備概況尺寸(參考):約3500(L)*1500(W)*2000(H)(具體尺寸根據實際圖紙確定)清洗件規格:一次性可裝8寸晶片25pcs典型生產節拍:5~10min/籃(清洗節拍連續可調)門:不銹鋼合頁門+PVC視窗主題構造特點設備由于是在一個腐蝕的環境,我們設備的排風方式,臺面下抽風,每套工藝清洗槽都有自動開閉的槽蓋,槽蓋下有單獨的抽風裝置。設備結構外型,整機主要由機架、工藝槽體、機械手傳輸系統、排風系統、電控系統、水路系統及氣路系統等組成。由于工藝槽內藥液腐蝕性強,設備需要做防腐處理:(1)設備機架采用鋼結構骨架包塑;(2)殼體采用鏡面SUS316L不銹鋼焊接,制程區由耐腐蝕的SUS316L板材組合焊接而成:(3)電氣區設置在設備后上部,與濕區和管路區完全隔離;(4)槽體材料選用耐相應溶液腐蝕的材料;(5)機械手探人濕區部分的零部件表面噴氟或套PFA管處理。應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多全自動濕法去膠清洗機設備可以關注南通華林科納半導體設備官網www.jeans-you.com;現在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的全自動濕法去膠清洗機設備的相關方案
    發布時間: 2017 - 12 - 07
    金屬剝離清洗機-南通華林科納CSE微機電系統(MEMS)是指用微機械加工技術制作的包括傳感器/微致動器/微能源/等微機械基本部分以及高性能的電子集成線路組成的微機電器件與裝置。其典型的生產工藝流程為:成膜工藝(氧化/CVD:LPCVD PECVD/PVD:濺射/電鍍/摻雜:擴散 注入 退火)→光刻圖形(旋涂/光刻/顯影)→干法/濕法/ 刻蝕(濕法刻蝕/硅刻蝕/SiO?刻蝕/去膠清洗/金屬刻蝕/金屬剝離/RCA清洗)設備名稱南通華林科納CSE-金屬剝離清洗機設備系列CSE-CX13系列設備概況尺寸(參考):機臺尺寸 : 1750mmWx1400mmDx1900mmH(具體尺寸根據實際圖紙確定)清洗量:6寸25裝花籃2籃;重量:500Kg( 大約);工作環境:室內放置;主體構造特點外 殼:不銹鋼304 板組合焊接而成。安全門:無安全門,采用敞開式設計;管路系統:藥液管路采用不銹鋼管,純水管路采用CL-PVC管;閥門:藥液管路閥門采用不銹鋼電磁閥門;排 風:后下抽風,動力抽風法蘭位于機臺上部;水汽槍:配有水氣槍各2把,分置于兩側;隔板:藥液槽之間配有隔離板,防止藥液交叉污染;照明:機臺上方配照明(與工作區隔離);機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且有高低調整及鎖定功能。三色警示燈置于機臺上方明顯處。工作槽參數剝離洗槽槽體:不銹鋼316,有效尺寸405×220×260mm;化學藥品:剝離洗液;藥液供液:人工手動加入;工作溫度:60℃并可調;溫度可調;加熱方式:五面體貼膜加熱/投入式加熱器加入熱;液位控制:采用N2背壓數位檢測; 計時功能:工藝時間可設定,并可調,到設定時間后聲鳴提示,點擊按鈕后開始倒序計時;批次記憶:藥液使用次數可記憶,藥液供入時間可記憶,設定次數和設定時間到后更換藥液;排液:排液管道材質為不銹鋼管,按鈕控制;槽蓋:配有手動槽蓋;IPA槽槽體:不...
    發布時間: 2016 - 12 - 05
    管道清洗機設備—華林科納CSE半自動石英管清洗設備適用于臥式或立式石英管清洗優點石英管清洗:臥式—標準/立式—選項 先進的圖形化界面 極高的生產效率 最佳的占地 結合最先進工藝技術 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 應用 清洗不同尺寸的石英管一般特征 可編程使得清洗管旋轉,清洗更干凈 PVDF工藝槽 裝有清洗溶劑的儲備槽(根據使用化學品的數量)放置在工藝槽的后下方 — 直接注入且內部進行不斷循環 特別的噴淋嘴更益于石英管清洗 集成水槍和N2搶 單獨排液系統 安全蓋子 易于操作和控制 節約用酸系統 全自動的清洗工藝步驟 備件 經濟實惠的PP外殼材料—標準更多的石英管道清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 14
    1、設備概況:主要功能:本設備主要采用手動搬運方式,通過對擴散、外延等設備的石英管、碳化硅管腐蝕、漂洗等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的清洗效果。主體采用德國勞士領 瓷白PP板,骨架采用不銹鋼 外包PP 防腐板;設備名稱:半自動石英管清洗機設備型號:CSE-SC-N401整機尺寸(參考):4500mm*1500mm*2100mm;被清洗爐管尺寸(Max):也可清洗其它可放入清洗槽中的石英器皿等被清洗物設備形式:室內放置型;節拍:約1--12小時(節拍可調根據實際工藝時間而定)      操作形式:半自動2、設備描述:此裝置是一個半自動的處理設備。PROFACE 8.0英寸大型觸摸屏顯示 / 檢測 / 操作清洗工作過程由三菱 / 歐姆龍PLC控制。3、設備特點: 腐蝕漂洗能力強,性能穩定,安全可靠;設備成本合理,自動化程度高,使用成本低;技術先進,結構合理,適宜生產線上大批次操作;結合華林科納公司全體同仁之力,多年品質保障,使其各部分遠遠領先同類產品;設備上層電器控制系統及抽風系統,中層工作區,下層為管道安裝維修區,主體結構由清洗機主體、酸洗槽、水清洗槽、防漏盤、抽風系統、工件滾動系統、氮氣鼓泡系統、支撐及旋轉驅動機構、管路部分、電控部分。本設備裝有雙防漏盤結構,并有防漏檢測報警系統,在整臺設備的底部裝有接液盤。設備配有在槽體下方配有傾斜式防漏層。4、工藝流程:檢查水、電、氣正常→啟動電源→人工上料→注酸→槽體底部氮氣鼓泡→石英管轉動(7轉/min)→進入酸泡程序→自動排酸(到儲酸箱)→槽體底部自動注水(同時氣動碟閥關閉)→懸浮顆粒物經過溢流壩流出→排水碟閥打開(重顆粒雜質排出)→初級潔凈水經過溢流壩溢出→清洗次數重復循環(人工控制)→下料。 酸洗和水洗在同一槽內完成1#,2#可通過循環泵循環使用...
    發布時間: 2017 - 12 - 08
    KOH etching is a chemical process used for the fabrication of silicon nanostructures. This etching process has been studied extensively in both research and real-world applications.CSE  provides individualized solutions for customers that want to use this process by using theKOH etching tank along with their existing wet bench equipment. All ofCSE’s KOH tanks are manufactured on site and built per your specifications. All PFA material is used for cleanliness and compatibility.Definition of KOH EtchingPotassium Hydroxide (KOH) etching is a wet chemical etching process used to create cavities in silicon. Highly corrosive alkaline chemical compound (pH 12) is used in conjunction with DI water and thermal regulation. The etch rate is limited; and the precision of Si etching...
    發布時間: 2017 - 12 - 08
    WET PROCESSING-MANUAL WET BENCHESWet Processing Manual Wet Bench Stations for Clean Room ApplicationsCSE’s wet processing manual wet benches are available in a wide variety of configurations. Standard construction will support both acid and solvent applications. Our standard wet benches give you all of the process and safety features as our fully automated or semi-automatedwet bencheswithout the extra cost for robotics. Our electrical and mechanical engineers prepare sign off drawings for each wet bench order. Our 30 plus years of continues business operation gives you the satisfaction you deserve. All process, etching or cleaning components are built and designed in-house giving you complete turnkey support.Benefits of Wet Processing Manual Benches:§ High end manual eq...
    發布時間: 2018 - 01 - 02
    Single cavity vertical dryer -CSEApplication of CSE cleaning system to various cleaning and drying processes AdvantageCSE cleaning system is applied to various cleaning and drying processesDifferent configurations (devices that can be placed on desktop operations, single independent, double chambers) for wafer size to 200mm best area, equipment with rollers can be movedSuperior reliabilityUnique modular structure it is extremely easy to repairEasy to use and operate The cleaning and drying machine is equipped with two kinds of automatic and manual systems. It is capable of complicate and different process requirements. Its stability and ease of operation will bring additional economic benefits to any factory. RinseSte can handle wafers of different sizes. The software program th...
    新聞中心 新聞資訊
    物理氣相沉積物理氣相沉積(英語:Physical vapor deposition,PVD)是一種工業制造上的工藝,是主要利用物理過程來沉積薄膜的技術,即真空鍍膜(蒸鍍),多用在切削工具與各種模具的表面處理,以及半導體裝置的制作工藝上。和化學氣相沉積相比,物理氣相沉積適用范圍廣泛,幾乎所有材料的薄膜都可以用物理氣相沉積來制備,但是薄膜厚度的均勻性是物理氣相沉積中的一個問題。主要的物理氣相沉積的方法有:● 熱蒸鍍● 濺鍍● 脈沖激光沉積
    發布時間: 2019 - 01 - 25
    瀏覽次數:43
    刻蝕刻蝕(英語:etching)是半導體器件制造中利用化學途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對于器件的電學性能十分重要。如果刻蝕過程中出現失誤,將造成難以恢復的硅片報廢,因此必須進行嚴格的工藝流程控制。半導體器件的每一層都會經歷多個刻蝕步驟。[1] 刻蝕一般分為電子束刻蝕和光刻,光刻對材料的平整度要求很高,因此,需要很高的清潔度。 但是,對于電子束刻蝕,由于電子的波長極短,因此分辨率與光刻相比要好的多。 因為不需要掩模板,因此對平整度的要求不高,但是電子束刻蝕很慢,而且設備昂貴。對于大多數刻蝕步驟,晶圓上層的部分位置都會通過“罩”予以保護,這種罩不能被刻蝕,這樣就能對層上的特定部分進行選擇性地移除。在有的情況中,罩的材料為光阻性的,這和光刻中利用的原理類似。而在其他情況中,刻蝕罩需要耐受某些化學物質,氮化硅就可以用來制造這樣的“罩”。
    發布時間: 2019 - 01 - 24
    瀏覽次數:39
    半導體激光半導體激光(Semiconductor laser)在1962年被成功激發,在1970年實現室溫下連續發射。后來經過改良,開發出雙異質接合型激光及條紋型構造的激光二極管(Laser diode)等,廣泛使用于光纖通信、光盤、激光打印機、激光掃描器、激光指示器(激光筆),是目前生產量最大的激光器。在基本構造上,它屬于半導體的P-N接面,但激光二極管是以金屬包層從兩邊夾住發光層(活性層),是“雙異質接合構造”。而且在激光二極管中,將界面作為發射鏡(共振腔)使用。在使用材料方面,有鎵(Ga)、砷(As)、銦(In)、磷(P)等。此外在多重量子井型中,也使用Ga·Al·As等。由于具有條狀結構,即使是微小電流也會增加活性區域的居量反轉密度,優點是激發容易呈現單一形式,而且,其壽命可達10~100萬小時。激光二極體的優點是效率高、體積小、重量輕且價格低。尤其是多重量子井型的效率有20~40%,P-N型也達到數%~25%,總而言之能量效率高是其最大特色。另外,它的連續輸出波長涵蓋了紅外到可見光范圍,而光脈沖輸出達50W(帶寬100ns)等級的產品也已商業化,作為激光雷達或激發光源可說是非常容易使用的激光的例子。
    發布時間: 2019 - 01 - 24
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    能帶結構在固體物理學中,固體的能帶結構 (又稱電子能帶結構)描述了禁止或允許電子所帶有的能量,這是周期性晶格中的量子動力學電子波衍射引起的。材料的能帶結構決定了多種特性,特別是它的電子學和光學性質。為何有能帶單個自由原子的電子占據了原子軌道,形成一個分立的能級結構。如果幾個原子集合成分子,他們的原子軌道發生類似于耦合振蕩的分離。這會產生與原子數量成比例的分子軌道。當大量(數量級為{\displaystyle 10^{20}}或更多)的原子集合成固體時,軌道數量急劇增多,軌道相互間的能量的差別變的非常小。但是,無論多少原子聚集在一起,軌道的能量都不是連續的。這些能級如此之多甚至無法區分。首先,固體中能級的分離與電子和聲原子振動持續的交換能相比擬。其次,由于相當長的時間間隔,它接近于由于不確定性原理引起的能量的不確定度。物理學中流行的方法是從不帶電的電子和原子核出發,因為它們是自由的平面波,可以具有任意能量,并在帶電后衰減。這導致了布拉格反射和帶結構。
    發布時間: 2019 - 01 - 23
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    空穴空穴又稱電洞(Electron hole),在固體物理學中指共價鍵上流失一個電子,最后在共價鍵上留下空位的現象。一個呈電中性的原子,其正電的質子和負電的電子的數量是相等的。現在由于少了一個負電的電子,所以那里就會呈現出一個正電性的空位——空穴。當有外面一個電子進來掉進了空穴,就會發出電磁波——光子。空穴不是正電子,電子與正電子相遇湮滅時,所發出來的光子是非常高能的。那是兩粒子的質量所完全轉化出來的電磁波(通常會轉出一對光子)。而電子掉入空穴所發出來的光子,其能量通常只有幾個電子伏特。半導體由于禁帶較窄,電子只需不多的能量就能從價帶激發到導帶,從而在價帶中留下空穴。周圍電子可以填補這個空穴,同時在原位置產生一個新的空穴,因此實際上的電子運動看起來就如同是空穴在移動。在半導體的制備中,要在4價的本征半導體(純硅、鍺等的晶體)的基礎上摻雜。若摻入3價元素雜質(如硼、鎵、銦、鋁等),則可產生大量空穴,獲得P型半導體,又稱空穴型半導體。空穴是P型半導體中的多數載流子。
    發布時間: 2019 - 01 - 23
    瀏覽次數:46
    電子電子是一種帶有負電的次原子粒子。電子屬于輕子類,以重力、電磁力和弱核力與其它粒子相互作用。輕子是構成物質的基本粒子之一,無法被分解為更小的粒子。電子帶有1/2自旋,是一種費米子。因此,根據泡利不相容原理,任何兩個電子都不能處于同樣的狀態。電子的反粒子是正電子,其質量、自旋、帶電量大小都與電子相同,但是電量正負性與電子相反。電子與正電子會因碰撞而互相湮滅,在這過程中,生成一對以上的光子。由電子與中子、質子所組成的原子,是物質的基本單位。相對于中子和質子所組成的原子核,電子的質量顯得極小。質子的質量大約是電子質量的1836倍。當原子的電子數與質子數不等時,原子會帶電;稱該帶電原子為離子。當原子得到額外的電子時,它帶有負電,叫陰離子,失去電子時,它帶有正電,叫陽離子。若物體帶有的電子多于或少于原子核的電量,導致正負電量不平衡時,稱該物體帶靜電。當正負電量平衡時,稱物體的電性為電中性。靜電在日常生活中有很多用途,例如,靜電油漆系統能夠將瓷漆或聚氨酯漆,均勻地噴灑于物品表面。電子與質子之間的吸引性庫侖力,使得電子被束縛于原子,稱此電子為束縛電子。兩個以上的原子,會交換或分享它們的束縛電子,這是化學鍵的主要成因。當電子脫離原子核的束縛,能夠自由移動時,則改稱此電子為自由電子。許多自由電子一起移動所產生的凈流動現象稱為電流。在許多物理現象里,像電傳導、磁性或熱傳導,電子都扮演了機要的角色。移...
    發布時間: 2019 - 01 - 22
    瀏覽次數:41
    載流子在物理學中,載流子(charge carrier),或簡稱載子(carrier),指可以自由移動的帶有電荷的物質微粒,如電子和離子。在半導體物理學中,電子流失導致共價鍵上留下的空位(空穴)被視為載流子。在電解質溶液中,載流子是已溶解的陽離子和陰離子。類似地,游離液體中的陽離子和陰離子在液體和熔融態固體電解質中也是載流子。霍爾-埃魯法就是一個熔融電解的例子。在等離子體,如電弧中,電離氣體和汽化的電極材料中的電子和陽離子是載流子。電極汽化在真空中也可以發生,但技術上電弧在真空中不能發生,而是發生在低壓電氣中;在真空中,如真空電弧或真空管中,自由電子是載流子;在金屬中,金屬晶格中形成費米氣體的電子是載流子。半導體中的多數載流子和少數載流子在半導體中,電子和空穴作為載流子。數目較多的載流子稱為多數載流子;在N型半導體中多數載流子是電子,而在P型半導體中多數載流子是空穴。數目較少的載流子稱為少數載流子;在N型半導體中少數載流子是空穴,而在P型半導體中少數載流子是電子。少數載流子在雙極性晶體管和太陽能電池中起重要作用。不過,此種載流子在場效應管(FET)中的作用是有些復雜的:例如,MOSFET兼有P型和N型。晶體管酌涉及到源漏區,但這些少數載流子橫穿多數載流子體。不過在傳送區內,橫穿的載流子比其相反類型載流子的數目多得多(實際上,相反類型的載流子會被外加電場移除而形成耗盡層),因此按慣例...
    發布時間: 2019 - 01 - 22
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    PN結一塊半導體晶體一側摻雜成P型半導體,另一側摻雜成N型半導體,中間二者相連的接觸面稱為PN結(英語:pn junction)。PN結是電子技術中許多元件,例如半導體二極管、雙極性晶體管的物質基礎。N型半導體摻入少量雜質磷元素(或銻元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導體原子(如硅原子)被雜質原子取代,磷原子外層的五個外層電子的其中四個與周圍的半導體原子形成共價鍵,多出的一個電子幾乎不受束縛,較為容易地成為自由電子。于是,N型半導體就成為了含自由電子濃度較高的半導體,其導電性主要是因為自由電子導電。P型半導體摻入少量雜質硼元素(或銦元素)的硅晶體(或鍺晶體)中,由于半導體原子(如硅原子)被雜質原子取代,硼原子外層的三個外層電子與周圍的半導體原子形成共價鍵的時候,會產生一個“空穴”,這個空穴可能吸引束縛電子來“填充”,使得硼原子成為帶負電的離子。這樣,這類半導體由于含有較高濃度的“空穴”(“相當于”正電荷),成為能夠導電的物質。PN結的形成采用一些特殊的工藝,可以將上述的P型半導體和N型半導體緊密地結合在一起。在二者的接觸面的位置形成一個PN結。P型、N型半導體由于分別含有較高濃度的“空穴”和自由電子,存在濃度梯度,所以二者之間將產生擴散運動。即:● 自由電子由N型半導體向P型半導體的方向擴散● 空穴由P型半導體向N型半導體的方向擴散載流子經過擴散的過程后,擴散...
    發布時間: 2019 - 01 - 21
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    晶體結構晶體結構是指晶體的周期性結構。固體材料可以分為晶體、準晶體和非晶體三大類,其中,晶體內部原子的排列具有周期性,外部具有規則外形,比如鉆石。Hauy最早提出晶體的規則外型是因為晶體內部原子分子呈規則排列,比如鉆石所具有的完美外形和優良光學性質就可以歸結為其內部原子的規則排列。20世紀初期,勞厄發明X射線衍射法,從此人們可以使用X射線來研究晶體內部的原子排列,其研究結果進而證實了Hauy的判斷。晶體內部原子排列的具體形式一般稱之為晶格,不同的晶體內部原子排列稱為具有不同的晶格結構。各種晶格結構又可以歸納為七大晶系,各種晶系分別與十四種空間格(稱作布拉維晶格)相對應,在宏觀上又可以歸結為三十二種空間點群,在微觀上可進一步細分為230個空間群。對于晶體結構的研究是研究固體材料的宏觀性質及各種微觀過程的基礎。專門研究分子結晶結構的科學稱為晶體學,經常應用在化學、生物化學與分子生物學。
    發布時間: 2019 - 01 - 21
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    柴可拉斯基法柴可拉斯基法(簡稱柴氏法 英語:Czochralski process),又稱直拉法,是一種用來獲取半導體(如硅、鍺和砷化鎵等)、金屬(如鈀、鉑、銀、金等)、鹽、合成寶石單晶材料的晶體生長方法。這個方法得名于波蘭科學家揚·柴可拉斯基,他在1916年研究金屬的結晶速率時,發明了這種方法。后來,演變為鋼鐵工廠的標準制程之一。直拉法最重要的應用是晶錠、晶棒、單晶硅的生長。其他的半導體,例如砷化鎵,也可以利用直拉法進行生長,也有一些其他方法(如布里奇曼-史托巴格法)可以獲得更低的晶體缺陷密度。硅的直拉法生長高純度的半導體級多晶硅在一個坩堝(通常是由石英制成)中被加熱至熔融狀態。諸如硼原子和磷原子的雜質原子可以精確定量地被摻入熔融的硅中,這樣就可以使硅變為P型或N型硅。這個摻雜過程將改變硅的電學性質。將晶種(或稱“籽晶”)置于一根精確定向的棒的末端,并使末端浸入熔融狀態的硅。然后,將棒緩慢地向上提拉,同時進行旋轉。如果對棒的溫度梯度、提拉速率、旋轉速率進行精確控制,那么就可以在棒的末端得到一根較大的、圓柱體狀的單晶晶錠。通過研究晶體生長中溫度、速度的影響,可以盡量避免不必要的結果。上述過程通常在惰性氣體(例如氬)氛圍中進行,并采用坩堝這種由較穩定的化學材料制成的反應室。
    發布時間: 2019 - 01 - 15
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