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    發布時間: 2016 - 06 - 22
    晶片凸點電鍍設備-南通華林科納CSE 傳統的IC器件是硅圓片在前工序加工完畢后,送到封裝廠進行減薄、劃片、引線鍵合等封裝工序。但無論是雙列直插封裝(DIP),還是四邊引線扁平封裝(QFP),封裝后的體積都比芯片本身體積大很多倍。由于手機等便攜式裝置的體積很小,所以要求器件的體積越小越好,像有300多個引出端的液晶顯示器(LCD)驅動電路,必須采用WLP的芯片尺寸封裝(CSP)。有些特殊的高頻器件,為了減小引線電感的影響,要求從芯片到外電路之間的引線越短越好。在這些情況下,華林科納的工程師采用了芯片尺寸封裝(CSP),方法之一就是在芯片的引出端上制作凸焊點,例如金凸點、焊料凸點、銦凸點,然后直接倒裝焊在相應的基板上。  更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網www.jeans-you.com;現在咨詢400-8768-096,18913575037可立即免費獲取華林科納CSE提供的晶圓電鍍設備的相關方案
    發布時間: 2016 - 03 - 08
    IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。二氧化硅腐蝕機理為:SiO2+4HF=SiF4+2H2OSiF4+2HF=H2SiF6H2SiF6(六氟硅酸)是可溶于水的絡合物,利用這個性質可以很容易通過光刻工藝實現選擇性腐蝕二氧化硅。為了獲得穩定的腐蝕速率,腐蝕二氧化硅的腐蝕液一般用HF、NH4F與純水按一定比例配成緩沖液。由于基區的氧化層較發射區的厚,以前小功率三極管的三次光刻(引線孔光刻)一般基極光刻和發射極光刻分步光刻,現在大部分都改為...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    設備名稱:高溫磷酸清洗機設備型號:CSE-SZ2011-16整機尺寸:約2800mm(L)×1200mm(w)×1900mm(H)節拍:根據實際工藝時間可調清洗量:批量清洗時,采用提籃裝片,單次清洗圓片的數量要求如下2"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于25片4"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片6"外延片,每次不少于1藍,每籃不少于20片框架材料:優質10mm瓷白PP板機殼,優質碳鋼骨架,外包3mmPP板防腐機臺底部:廢液排放管路,防漏液盤結構機臺支腳:有滑輪裝置及固定裝置,并且通過可調式地腳,可高低調整及鎖定功能DIW上水管路及構件采用日本積水CL-PVC管材,排水管路材質為PP管排風:位于機臺后上部工作照明:上方防酸型照明臺面板為優質10mmPP板(帶有圓形漏液孔,清除臺面殘留液體)附件:水、氣槍左右各兩套控制方式:PROFACE/OMRON + 三菱、OMRON 品牌 PLC 組合控制;安全保護裝置:      ●設有EMO(急停裝置),       ●強電弱點隔離      ●設備三層防漏  托盤傾斜   漏液報警  設備整體置于防漏托盤內臺面布置圖:各槽工藝參數
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    芯片鍍金設備-南通華林科納CSE   晶圓電鍍工藝在半導體、MEMS、LED 和 WL package 等領域中應用非常廣泛。南通華林科納的晶圓電鍍設備針對這些應用研發和生產的,對所有客戶提供工藝和設備一體化服務。產品分生產型和研發型兩大類,適合不同客戶的需求。 設備名稱南通華林科納CSE-芯片鍍金設備應用領域:半導體、MEMS、LED操作模式:PLC集成控制具體應用:電鍍、電鑄工藝類型:電鍍Au,Cu,Ni,Sn,Ag晶圓尺寸:8inch或以下尺寸,單片或多片基本配置:操作臺(1套),主電鍍槽(2套),腐蝕槽(2套),清洗(1套)設備功能和特點(不同電鍍工藝配置有所差異) 1. 產品名稱:芯片鍍金設備 2. 產品系列:CSE-XL3. 晶圓尺寸:4-6inch. 4. 集成控制系統,內置MST-MP-COTROL程序 5. 主體材料:勞士領PP 6. 四面溢流設計 7. 溫度控制系統:70+/-1C 8. 循環過濾出系統,流量可調。 9. 垂直噴流掛鍍操作。 10. 專用陰陽極 11. 陰極擺動裝置,頻率可調。 12. 陽極均化裝置。 13. 防氧化系統。 14. 充N2裝置。 15. 排風操作臺,風量可調。 16. 活化腐蝕系統。 17. 三級清洗系統。 18. 電鍍液體系:均為無氰電鍍液體系。 19. 工藝:表面均勻,厚度1-100um,均勻性5% 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多晶圓電鍍設備可以關注南通華林科納半導體設備官網www.hlkncse...
    發布時間: 2017 - 04 - 06
    異質結高效電池(HJT、HIT)制絨清洗設備—華林科納CSE 設備用途: 對高效太陽能電池異質結電池片進行制絨、清洗設備工藝流程:l  H2O2工藝:SC1處理→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(HNO3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干l  O3工藝:預清洗(O3)→純水清洗→去損傷→純水清洗→制絨→純水清洗→純水清洗→PSC1→純水清洗→化學拋光(O3)→純水清洗→SC2處理→純水清洗→氫氟酸洗→純水清洗→預脫水→烘干技術特點:l  兼容MES、UPS和RFID功能l  機械手分配合理,有效避免藥液交叉污染和槽體反應超時l  結構布局緊湊合理并且采用雙層槽結構,設備占地空間小l  先進的400片結構,有效提高設備工藝產能l  工藝槽體采用“定排定補”模式和“時間補液”模式相結合,有效延長藥液使用壽命和減少換液周期l  補配液采用槽內與補液罐雙磁致伸縮流量計線性檢測,以及可調節氣閥控流結構,有效保證初配時間和微量精補配液的精度l  所有與液體接觸材料優化升級,避免材料使用雜質析出l  采用最新低溫烘干技術,保證槽內潔凈度和溫度控制精度技術參數:l  設備尺寸(mm):26600(L)*2800(W)*2570(H)l  Uptime:≥95%l  破片率:≤0.05%l  MTTR:4hl  MTBF:450hl  產能:6000pcs/hl  功率消耗:398KW更多異質結高效電池制絨清洗相關設備,可以關注網址:http://www.jeans-you.com,熱線:400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2016 - 12 - 05
    單腔立式甩干機-華林科納CSE南通華林科納CSE-單腔立式甩干機系統應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱南通華林科納CSE-單腔立式甩干機優    點 清洗系統應用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設備帶有滾輪可移動 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標準的高邊和低邊花籃 可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單,每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區 去離子水回收 電阻率監測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設計的花籃設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    新聞中心 新聞資訊
    摘要:化學機械拋光(CMP)技術是目前廣泛采用的幾乎唯一的高精度全局平面化技術。拋光后表面的清洗質量直接關系到CMP技術水平的高低。介紹了各種機械、物理及化學清洗方法與工藝技術優缺點,指出了清洗荊、清洗方式是CMP后清洗技術中的關捷要素。綜述了CMP后清洗技術的發展現狀,分析了CMP后清洗存在的問題,并對其發展趨勢進行了展望。關鍵詞:化學機械拋光;原子級精度表面;清洗技術0引言目前因拋光后表面清洗不干凈引起的電子器件產品合格率降低,占次品率的50%左右,清洗質量的高低已嚴重影響到先進電子產品的性能、可靠性與穩定性。工藝中si片表面吸附的微粒、有機和無機粘污會破壞極薄氧化層的完整性,導致微結構缺陷,引起低擊穿、管道擊穿、軟擊穿、漏電流增加以及芯片短路等問題?1。計算機硬盤技術中,隨著硬盤存儲密度的快速上升,磁頭的飛行高度已降低到10姍以下L2J。原子級表面粗糙度(原子直徑小于0.3nm)、無微觀缺陷、潔凈的高精表面已成為高技術電子產品制造中的共同要求,也是關系其性能的關鍵因素。目前一般采用CMP技術進行片子表面的高精度全局平坦化。由于拋光后新鮮表面活性高,以及CMP拋光液中大量使用高濃度的納米磨粒(如納米Si02、納米AIO粒子)、多種化學品等因素,工件表面極易吸附納米顆粒等污染物,導致CMP后清洗極其困難。集成電路技術中,對0.35pm及以下的CMOS工藝,要求后清洗提供的片子上0...
    發布時間: 2020 - 12 - 17
    瀏覽次數:29
    在半導體濕制程、生物制藥、冶金化工等諸多行業,制程工藝往往需要藥液的高精確控溫,若采用傳統的加熱與外水冷卻的方式來實現控溫,藥液溫度精度誤差大、控溫速率低、防腐性能低等等。而華林科納半導體型電子冷熱器正好彌補以上缺陷。  傳熱的三種基本方式是:熱傳導、對流和輻射。華林科納半導體型電子冷熱器的傳熱方式是屬于熱傳導,熱量從物體內溫度較高的部分傳遞到溫度較低的部分或者傳遞到與之接觸的溫度較低的另一物體的過程稱為熱傳導。通過冷熱交替從而實現熱液-冷液間溫度的傳遞,最終達到用戶需要的溫度(冷熱都可以實現)。  然而,在上述提及的行業中,很多控溫的藥液往往帶有腐蝕性,制程工藝要達到100℃以上高溫,這就需要冷熱交換器用不同的材質來適應不同的材質。作為濕制程設備專業制造商,經過多年研發及更新換代,華林科納公司研發的新型CSE-CHEC-VI電子冷熱器能夠實現各行業95%以上的不同濕制程要求下的精確控溫。  冷熱交換取熱器,包括冷熱交換單元與控制系統兩個部分。冷熱交換單元根據藥液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不銹鋼等不同材質制造。冷熱交換單元內置半導體冷熱交換片、超溫保護單元、漏液保護單元、藥液防腐隔離單元等等。工藝槽的藥液經過防腐泵、過濾器后、半導體冷熱控制單元形成一個閉環控制。根據槽體內的溫度傳感器采集,PID數字閉環調節,重新注入處理槽內。由此,經過不斷循環交換冷熱,將藥液溫度實時控...
    發布時間: 2019 - 07 - 01
    瀏覽次數:57
    在半導體技術的發展過程中,器件的特征尺寸越來越小,光刻工藝也變得越發復雜,而這也導致了下一代光刻技術的成本不斷增加。追求特征尺寸的縮小,就需要減小曝光波長。在比DUV和EUV更先進的下一代光刻技術中,電子束光刻已被證明有非常高的分辨率,但其生產效率太低;X 線光刻雖然可以具備高產率,但X 線光刻的設備相當昂貴。光學光刻成本和復雜的趨勢以及下一代光刻技術難以在短期內實現產業化激發人們去研發一種非光學的、廉價的且工藝簡便的納米技術,即納米壓印技術(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,華裔科學家周郁(Stephen Chou)提出了納米壓印技術(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有別于傳統的光刻技術,納米壓印將模具上的圖形直接轉移到襯底上,從而達到量產化的目的。NIL的基本思想是通過模版,將圖形轉移到相應的襯底上,轉移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過熱壓或者輻照等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉移兩個過程。相對于傳統的光刻技術,納米壓印具有加工原理簡單,分辨率高,生產效率高,成本低等優點。納米壓印光刻膠與傳統光刻膠的對比納米壓印技術不受最短曝光波長限制,只與模板的精密度有關。因此,對光刻膠性能的要求相對降低了,但是隨著工藝的改變,同樣會引出新的問題,...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:27
    在材料加工科學的不斷推動下,半導體器件和集成電路制作工藝取得了長足進步,發生了巨大變化,但是其中的濕法清洗工藝作為最為有效的半導體晶片洗凈技術,一直未能被取代。隨著晶片表面潔凈要求的不斷提高,清洗工藝的焦點已逐步由清洗液、兆聲波等轉移到晶片干燥上。干燥作為濕法清洗的最后一個步驟,最終決定了晶片的表面質量,是清洗工藝的核心所在。  在各種晶片的干燥中,尤以襯底拋光片的干燥最為困難,它不僅要求表面達到脫水效果,還要避免在表面留下任何水痕缺陷或顆粒。為達到這種要求,以設備為依托的各類干燥技術發展迅速。  1.1離心甩干技術  離心甩干是通過外力使晶片短時間內達到高速旋轉的狀態,晶片表面的水受到離心力作用而從表面消失的干燥技術。這種干燥方式由于簡單可靠,在晶片清洗領域得到了廣泛應用。根據晶片運動方式的不同,離心甩干又分為立式離心甩干和水平式離心甩干(見圖 1 和圖 2),雖然二者的脫水原理相似,但是由于運動方式的不同,在工藝上有很大的差異。為保證晶片的潔凈,一般在干燥步驟之前,會增加一步藥液、去離子水旋轉噴淋過程,對表面進行二次潔凈。為保證干燥效果,甩干過程中將引入熱氮氣,對晶片進行吹拂。  影響甩干效果的因素有很多,如轉速的設置, 氮氣的流量,排氣通路的設計、腔體的密閉性和旋轉產生的共振等。  離心甩干的優點是技術成熟穩定,干燥后的表面均一性好,不易產生水印;缺點是僅適合半導體前道的裸片...
    發布時間: 2019 - 06 - 28
    瀏覽次數:239
    目前在半導體工業生產中,普遍采用RCA清洗技術清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學清洗,串聯的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。此種干燥工藝比傳統的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過程中易產生邊緣目檢缺陷的缺點。針對這點,我們在生產中總結了一下經驗,并通過控制將此缺陷降到可控范圍內。1、硅片進入IPA干燥腔后,通過片盒支架的特殊設計,使拋光面自動與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面,有利于均勻的干燥。2、PFA片盒作為硅片的載體,由于材料微觀多孔的特性,經過反復烘干,孔被放大,加上長時間的化學溶浸,少量化學物質吸附在PFA的孔內,烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷,因此定期處理PFA片盒是很必要的。作為濕制程設備專業制造商,南通華林科納半導體設備有限公司對IPA干燥系統有豐富的生產經驗和產線使用驗證,為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,18913575037
    發布時間: 2019 - 06 - 26
    瀏覽次數:121
    在光學冷加工中,超聲波清洗是如何實現洗凈目的的呢?一般來說,清洗工藝主要以干燥的方式命名,如 IPA 工藝,是指利用 IPA(異丙醇)蒸汽進行脫水干燥的清洗工藝,純水工藝是指利用熱純水慢提拉或冷純水甩干的方式進行干燥的清洗工藝。當然,還有其他的命名方式。經過不斷的變化、發展,光學冷加工中的清洗工藝主要以 IPA 工藝和純水工藝為主。  IPA干燥  IPA 工藝包括四個流程:洗滌、漂洗、脫水、干燥。    因為洗滌過程分溶劑清洗和水基清洗,所以有不同的工藝:有先進行溶劑清洗、溶劑蒸汽干燥再進行水基清洗;也有先進行溶劑清洗,再用乳化劑溶解溶劑,再進行水基清洗的。顯然,后者在流程上更流暢、緊湊,對設備要求也簡單。經過洗滌后的鏡片表面不會有結合牢固的污垢,僅可能有一些清洗劑和松散污垢的混合物。    我們知道,無機光學玻璃是一種過冷的熔融態物質,沒有固定的分子結構,它的結構式可描述為二氧化硅和某些金屬氧化物形成的網狀結構。其骨架結構為鍵能很大的硅氧共價鍵,外圍是鍵能小、易斷裂的氧與金屬離子形成的離子鍵。在洗滌時,由于超聲場和化學洗劑的共同作用,某些硅氧鍵含量少或者外圍鍵能特別小的的材料易于在清洗過程中發生變化而導致洗滌效果不良。所以,選擇性能溫和的洗劑、合適的洗劑濃度、溫度、超聲功率、洗滌時間對保證鏡片的清洗質量十分重要。    利用流水將洗滌后鏡片表面的洗劑和污物溶解、排除的過程稱為漂...
    發布時間: 2019 - 06 - 11
    瀏覽次數:107
    近年來衍射光柵技術、全息術、傅里葉光學和計算全息等技術推動了衍射光學理論的發展,特別是在衍射光學器件方面的研究已經達到了實用化的水平。衍射光學器件的特點DOE的特點則是具有高衍射效率、獨特的色散性能、更多的設計自由度、寬廣的材料可選性,并具有特殊的光學性能,因此DOE成為實現離軸照明的理想元件。一般用于光刻系統離軸照明的DOE,其子單元個數需衍射的概念光沿著直線傳播,當光穿過一個小孔或經過一個輪廓分明的邊緣時,沿小孔邊緣產生了干涉圖形,結果得到了一個模糊的圖像,而不是希望出現在光和陰影之間的清晰邊緣,光看上去沿狹縫邊緣彎曲了。這種現象被稱做衍射。衍射光學器件的主要應用1.光束整形(1)平頂光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光學器件(DOE),用于將近高斯入射激光束轉換為圓形,矩形,正方形,線形或均勻強度(平坦)點或在特定工作平面中具有鋒利邊緣的其他形狀。頂帽(平頂)光束整形器的典型應用包括:激光燒蝕,激光焊接,激光穿孔,激光劃線,醫療和美學激光應用。(2)光束擴散器/光束勻質器英文名為BeamHomogenizer / Optical Diffuser,使用勻化鏡能把單模或多模的準直輸入光束,轉換為能量分布高度均勻的光斑。光斑的波長和形狀輪廓都可自定義,形狀一般為圓形、正方形、直線、長方形、六邊形、橢圓形等任意形狀。光束均化鏡在許多需要明確定義光...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    一、無源晶振與有源晶振的對比1. 無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產生振蕩信號,自身無法振蕩起來,無源晶振需要用DSP片內的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據起振電路來決定的,同樣的晶振可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應用如果條件許可建議用晶體,這尤其適合于產品線豐富批量大的生產者。2. 有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,里面除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內部振蕩器,信號質量好,比較穩定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網絡,輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復雜的配置電路。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大,但現在許多有源晶振是表貼的,體積和晶體相當,有的甚至比許多晶體還要小。二、無源晶振與有源晶振的優缺點無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應的調整。使用時建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。相對于無源晶體,有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的,需要選擇好合適輸出電平,靈活性較差,...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    微納光學是目前新型光電子產業的重要發展方向,在光通信、光互聯、光存儲、半導體器件等諸多領域,發揮了巨大的作用。微納光學的結構技術是指通過將微納光學結構引入到相關的材料中,制成新型光學功能器件。微納光學就是利用微結構材料作為光學元件的光學分支。它的結構的設計和制造是微納光學技術發展的關鍵性問題,所以微納光學成為了新型光電子產業發展的關鍵性突破。它的主要優點就是能在局域電磁相互作用的基礎上實現許多全新的功能,成為21世紀國家不可或缺的關鍵科學和技術。微納光學現有技術與特點微納光學制造技術以LIGA工藝為基礎,主要經過光刻、電鑄制模和微納米壓印三個主要工藝步驟。(1)光刻光刻是半導體技術中晶圓制造的關鍵工藝,通過表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去,在晶圓表面留下帶有微圖形結構的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上。可想而知,半導體清洗設備就發揮了非常大的作用。國內也是有多家濕法清洗設備廠商,其中熟知的華林科納就是一家濕制程設備專業制造商,主要從事半導體濕制程設備的設計、研發、生產及銷售。目前光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級,已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術;成為一種精密的微細加工技術。微納光學制造技術采用光刻技術在激光原版上形成具有微納尺寸的細微結構,即...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    在許多大學、研究所,研究員在實驗室做實驗時,往往需要配比很多不同類型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機液,人工配液時接觸,不僅存在安全隱患,還經常存在配液比例不準確,效率低下的問題。同時,由于人工反復不斷的配比,人在疲倦的時候容易出錯,還易造成藥液的浪費。  華林科納公司設計的CSE-LIQOUR-II自動配液機,專為解決以上問題而研發,可以適用于各類化學生物制藥工藝實驗室,是用來滿足藥液自動配比的設備,通過稱重、流量計準確計量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達到2‰。  該配液機由配液控制單元與配液稱量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區域、外接原液桶裝置與計算控比裝置組成,通過操作區域輸入化學藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量,經過計算控比裝置的精確計算,將幾種藥液進行混合配比,從而實現藥液的精確配比。同時,配有精確的配液稱量單元,最高配液分辨率可達到0.01g。除了可以用量杯進行大規格的調制之外,還可以配備標準試管支架,以用來固定試管,進行精確地試管配比。  該配液機能夠達到高精準、高效率的配液,并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;通過計算控比單元與機臺界面自動化,實現自動控制操作的運轉;接觸部分與絕大多數化學品(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水N...
    發布時間: 2019 - 06 - 28
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