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    發布時間: 2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
    發布時間: 2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
    新聞中心 新聞資訊
    Wet Benches濕法工作臺的用途:Purpose of Wet Benches: Wet Benches are used in a wafer FAB to clean debris and/or to etch away unwanted or no longer needed films from wafers.  They are also used to prepare a wafer’s surface for the next step in the overall process.  Less sophisticated wet benches are often used in a FAB to clean quartz and other semiconductor equipment parts. 濕法工作臺類型:Wet Bench Types:Wet Benches are generally manufactured for compatibility with Acid or Base chemistries.  Base chemistry wet benches are often called Solvent Benches.  You can recognize a Solvent...
    發布時間: 2019 - 08 - 13
    瀏覽次數:115
    Designed and manufactured to support various wet processes and wafer carrier sizes. The stations can be manual, automatic or semi automatic, and are designed for easy maintenance and with small footprints. CSE design the stations according to process requirements and customer needs.  CSE’s Semi-Automatic Chemical Wet Bench allows processing Wafers in one process run.The Wafers are installed in a dedicated cassette mounted on an adapter; using a programmable automatic process the adapter is consecutively carried through process baths.A robot transfers the adapter between the different...
    發布時間: 2019 - 08 - 13
    瀏覽次數:56
    Designed and manufactured to support various wet processes and wafer carrier sizes. The stations can be manual, automatic or semi automatic, and are designed for easy maintenance and with small footprints. CSE design the stations according to process requirements and customer needs.   CSE’s Manual Chemical Wet Bench allows treating parts placed in a designated holder by manually passing the holder along chemical process baths and local sink. The Manual Chemical Wet Bench includes chemical process baths, working surface and local sink. The system is controlled and monitored by a ...
    發布時間: 2019 - 08 - 13
    瀏覽次數:42
    The Automatic Wet Bench is designed for etching and cleaning Wafer units.A robot moves a cassette containing Wafers between the different chemical baths according to a predetermined recipe.Each bath in the Automatic Wet Bench is operated and controlled via a HMI touch screen that displays its status and enables selecting and setting all the necessary parameters for the operation.Dedicated access doors and panels are provided to facilitate service tasks all around the Wet Bench.The Automatic Wet Bench is a complete self-contained system with extensive reliability and advanced fault analysis and...
    發布時間: 2019 - 08 - 13
    瀏覽次數:55
    CSE's chemical delivery systems, as all systems, are developed according to our customer's process requirements. The systems are designed to dispense chemicals to the point of consumption from any type of source container and with full redundancy, if required.   CSE can offer a turn-key solution if required andhave their own experienced team or approved local contractors to ensure project installation and acceptance deadlines are achieved.CSE have a range of products to suit most applications and can also provide custom built systems for non-stan...
    發布時間: 2019 - 08 - 13
    瀏覽次數:40
    半導體濕法工藝實驗平臺于2019年完成建設,實驗室提供濕法工藝實驗驗證和核心功能模塊演示服務。由于工藝實驗涉及納米尺度的工藝,對實驗環境有特定的需要,因此配備了專門的隔離空間及回風過濾系統,也配備了超純水DIW、壓縮干燥空氣CDA以及廢氣處理系統等工藝輔助設施,已能夠滿足用戶產品及工藝的快速驗證。濕法刻蝕清洗可以提供2”-12”晶圓的濕法刻蝕實驗臺、超聲兆聲清洗實驗臺、IPA干燥慢提拉實驗機、甩干機(立式、臥式)、CDS供液系統等不同類型的設備,能夠滿足絕大多數用戶在刻蝕、清洗、電(化學)鍍、干燥的工藝驗證需求。具體可進行驗證工藝實驗名稱見下表:核心功能模塊演示包括超聲兆聲功能、自動配液功能、循環功能、過濾功能、加熱功能、制冷功能、恒溫功能、拋動晃動功能等。?自動配液:主要用于濕法腐蝕清洗等工序需要使用的腐蝕液集中進行配送,經管道配送至使用端;具有自動化程度高、配比精確(達到2‰)、操作簡便等特點,具有耐腐蝕性,可適用于:HF、HNO3、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、H2O2、IPA等。CDS自動配液機?恒溫控溫:采用電子冷熱交換器,當設定好制程藥液所需溫度,由控制單元精準控制,則無需別的操作。通過外接循環水的溫度,將藥液溫度控制精度達到±0.5℃,電子冷熱器內部溫度控制精度達到±0.1℃,保證多批次清洗、刻蝕效果一致。電子冷熱交換器工作原理...
    發布時間: 2019 - 07 - 09
    瀏覽次數:163
    在半導體濕制程、生物制藥、冶金化工等諸多行業,制程工藝往往需要藥液的高精確控溫,若采用傳統的加熱與外水冷卻的方式來實現控溫,藥液溫度精度誤差大、控溫速率低、防腐性能低等等。而華林科納半導體型電子冷熱器正好彌補以上缺陷。  傳熱的三種基本方式是:熱傳導、對流和輻射。華林科納半導體型電子冷熱器的傳熱方式是屬于熱傳導,熱量從物體內溫度較高的部分傳遞到溫度較低的部分或者傳遞到與之接觸的溫度較低的另一物體的過程稱為熱傳導。通過冷熱交替從而實現熱液-冷液間溫度的傳遞,最終達到用戶需要的溫度(冷熱都可以實現)。  然而,在上述提及的行業中,很多控溫的藥液往往帶有腐蝕性,制程工藝要達到100℃以上高溫,這就需要冷熱交換器用不同的材質來適應不同的材質。作為濕制程設備專業制造商,經過多年研發及更新換代,華林科納公司研發的新型CSE-CHEC-VI電子冷熱器能夠實現各行業95%以上的不同濕制程要求下的精確控溫。  冷熱交換取熱器,包括冷熱交換單元與控制系統兩個部分。冷熱交換單元根據藥液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不銹鋼等不同材質制造。冷熱交換單元內置半導體冷熱交換片、超溫保護單元、漏液保護單元、藥液防腐隔離單元等等。工藝槽的藥液經過防腐泵、過濾器后、半導體冷熱控制單元形成一個閉環控制。根據槽體內的溫度傳感器采集,PID數字閉環調節,重新注入處理槽內。由此,經過不斷循環交換冷熱,將藥液溫度實時控...
    發布時間: 2019 - 07 - 01
    瀏覽次數:35
    衍射光學是基于光的衍射原理,利用計算機設計衍射圖,并通過微電子加工技術在光學材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光學元件及其靈活的控制波前,集多功能與一體和可復制的優良特性視光學系統及器件向輕型化,微型化和集成化發展。到了90年代至今,衍射光學元件的研究已成為光學界的前沿工作。隨著衍射光學元件應用領域的拓展,大面積衍射元件的需求越來越多。濕法刻蝕技術是低成本制作特征尺寸及寬深比較大衍射光學元件較好的方法之一,特別在解決大口徑元件的刻蝕均勻性方面具有很大優勢。衍射光學自身具有許多優點使得它廣泛地應用于各種光學系統或微光機電系統中,各種衍射光學元件目前已成為光通訊和光互聯中的關鍵元件,對它們的性能分析和設計具有重要的理論意義和應用價值。與傳統折反射光學元件比較,衍射光學元件(DOE)的光學處理功能非常靈活。DOE可以在極小的體積內,集成多種光學功能于一體,產生傳統光學難以實現的各種光場分布。針對衍射光學元件的濕法刻蝕工藝,華林科納研究了濕法刻蝕的化學機理,摸索了相關的規律,得到了有效控制刻蝕速率的方法,不同腐蝕條件下所對應的刻蝕速率。為基于工藝條件的優化設計方法提供依據,得到了制作工藝中的加工依據。公司具備獨立的設計、制造及應用技術,能夠為客戶提供從咨詢、設計、到制造的專業化、定制化整體解決方案。
    發布時間: 2020 - 05 - 08
    瀏覽次數:27
    濕法化學腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。濕法腐蝕工藝由于其低成本,高產出,高可靠性以及其優良的選擇比是其優點而仍被廣泛接受和使用。華林科納經過多年的生產經驗及技術的不斷改良,使得我們的設備在工藝路徑及技術要求上得到穩步的提高,濕法腐蝕設備正朝著以下方向發展:a.自動化b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態下的重復性,以幫助工藝工程師提供更良好的控制,阻止人為因素的影響。c.點控制過濾控制,以減小腐蝕過程中缺陷的產生d.自動噴淋設備的開發。所有這些,都使濕法腐蝕有一個更美好的前景。濕法腐蝕機理濕法腐蝕的產生一般可分為3步:1:反應物(指化學藥劑)擴散到反應表面2:實際反應(化學反應)3:反應生成物通過擴散脫離反應表面在實際應用中,濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形,光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區域防止被腐蝕液腐蝕掉,而光刻版在腐蝕后常被去掉,因此在線擇濕法腐蝕工藝時,必須線擇腐蝕液,合適的形成版的材料(光刻膠)必須具有良好的抗腐蝕能力,良好的完整覆蓋特性,光刻膠常被用來作為版層材料,但有時邊緣的黏附性差,常采用HMDS以增強其黏附性濕法腐蝕反應時可能存在多種反應機理,許多反應...
    發布時間: 2020 - 05 - 08
    瀏覽次數:24
    RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的,并由此而得名。CSE華林科納RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法,是去除硅片表面各類玷污的有效方法,所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統。該清洗系統主要包括以下幾種藥液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金屬,DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時,在自然氧化膜被腐蝕掉時,硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2),呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中,從而達到去除粒子的目的...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:24
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