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    始于90年代末

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    發布時間: 2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
    發布時間: 2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
    新聞中心 新聞資訊
    衍射光學是基于光的衍射原理,利用計算機設計衍射圖,并通過微電子加工技術在光學材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光學元件及其靈活的控制波前,集多功能與一體和可復制的優良特性視光學系統及器件向輕型化,微型化和集成化發展。到了90年代至今,衍射光學元件的研究已成為光學界的前沿工作。隨著衍射光學元件應用領域的拓展,大面積衍射元件的需求越來越多。濕法刻蝕技術是低成本制作特征尺寸及寬深比較大衍射光學元件較好的方法之一,特別在解決大口徑元件的刻蝕均勻性方面具有很大優勢。衍射光學自身具有許多優點使得它廣泛地應用于各種光學系統或微光機電系統中,各種衍射光學元件目前已成為光通訊和光互聯中的關鍵元件,對它們的性能分析和設計具有重要的理論意義和應用價值。與傳統折反射光學元件比較,衍射光學元件(DOE)的光學處理功能非常靈活。DOE可以在極小的體積內,集成多種光學功能于一體,產生傳統光學難以實現的各種光場分布。針對衍射光學元件的濕法刻蝕工藝,華林科納研究了濕法刻蝕的化學機理,摸索了相關的規律,得到了有效控制刻蝕速率的方法,不同腐蝕條件下所對應的刻蝕速率。為基于工藝條件的優化設計方法提供依據,得到了制作工藝中的加工依據。公司具備獨立的設計、制造及應用技術,能夠為客戶提供從咨詢、設計、到制造的專業化、定制化整體解決方案。
    發布時間: 2020 - 05 - 08
    瀏覽次數:27
    濕法化學腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。濕法腐蝕工藝由于其低成本,高產出,高可靠性以及其優良的選擇比是其優點而仍被廣泛接受和使用。華林科納經過多年的生產經驗及技術的不斷改良,使得我們的設備在工藝路徑及技術要求上得到穩步的提高,濕法腐蝕設備正朝著以下方向發展:a.自動化b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態下的重復性,以幫助工藝工程師提供更良好的控制,阻止人為因素的影響。c.點控制過濾控制,以減小腐蝕過程中缺陷的產生d.自動噴淋設備的開發。所有這些,都使濕法腐蝕有一個更美好的前景。濕法腐蝕機理濕法腐蝕的產生一般可分為3步:1:反應物(指化學藥劑)擴散到反應表面2:實際反應(化學反應)3:反應生成物通過擴散脫離反應表面在實際應用中,濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形,光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區域防止被腐蝕液腐蝕掉,而光刻版在腐蝕后常被去掉,因此在線擇濕法腐蝕工藝時,必須線擇腐蝕液,合適的形成版的材料(光刻膠)必須具有良好的抗腐蝕能力,良好的完整覆蓋特性,光刻膠常被用來作為版層材料,但有時邊緣的黏附性差,常采用HMDS以增強其黏附性濕法腐蝕反應時可能存在多種反應機理,許多反應...
    發布時間: 2020 - 05 - 08
    瀏覽次數:26
    RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的,并由此而得名。CSE華林科納RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法,是去除硅片表面各類玷污的有效方法,所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統。該清洗系統主要包括以下幾種藥液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金屬,DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時,在自然氧化膜被腐蝕掉時,硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2),呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中,從而達到去除粒子的目的...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:25
    刻蝕是把進行光刻前所淀積的薄膜中未被光 刻膠覆蓋的部分用化學或物理的方式去除,用以完成掩模圖像的轉移。刻蝕是半導體器件和集成 電路的基本制造工藝,分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的 化學反應將被刻蝕物質剝離下來的方法;干法刻 蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面 薄膜反應,形成揮發性物質,或直接轟擊薄膜表面 使之被腐蝕的工藝。雖然濕法刻蝕在保證細小圖 形轉移后的保真性方面不如干法刻蝕,但由于生 產成本低、產能高、適應性強、表面均勻性好、對硅片損傷少、其優良的選擇比在去氧化硅、去除殘留 物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣 泛的應用。濕法刻蝕的特點是:反應生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質,否則會造成反應物沉 淀,影響刻蝕的正常進行;濕法刻蝕一般為各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,這樣會導致側向出現腐蝕。因此,刻蝕后得到的圖形結構不是理想的垂直墻;濕法刻蝕過程常伴有放熱和放氣現象,影響刻蝕速率,使得刻蝕效 果變差。  提高濕法設備刻蝕均勻性的方法 刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在晶片內及晶片之間刻蝕一致性的參數,是保證芯片產品質 量的關鍵指標之一。刻蝕速率和刻蝕剖面與圖形 尺寸及密度是影響刻蝕均勻性的原因,刻蝕均勻性與選擇比有密切的關系,非均勻性刻蝕會產生額外的過刻蝕。刻蝕溶液的溫度控制 刻蝕溶液溫度是硅濕...
    發布時間: 2020 - 05 - 08
    瀏覽次數:20
    超聲波清洗技術的基本原理,大致可以認為是利用超聲場產生的巨大作用力,在洗滌介質的配合下,促使物質發生一系列物理、化學變化以達到清洗目的的方法。當高于音波(28~ 40KHz)的高頻振動傳給清洗介質后,液體介質在高頻振動下產生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互間的碰撞、合并、消亡的過程中,可使液體局部瞬間產生幾千大氣壓的壓強,如此大的壓強使得周圍的物質發生一系列物理、化學變化。這種作用稱為“空化作用”: 1. 空化作用可使物質分子的化池鍵斷裂,引起各種物理變化(溶解、吸附、乳化、分散)和化學變化(氧化、還原、分解、化合)等;2. 當空腔泡的固有頻率和超聲頻率相等時,可產生共振,共振的空腔泡內聚集了大量的熱能, 這種熱能足以使周圍物質化學鍵斷裂而引起物理、化學變化。3. 當空腔泡形成時,兩泡壁間因產生極大的電位差而引起放電,致使腔內氣泡活化進而引起周圍物質的活化,從而使物質發生物理、化學變化。 超聲場為清洗提供了巨大的能量,但還需化學洗劑作為介質。一般將化學洗劑分為兩類,一類是有機溶劑,主要是根據相似相溶的化學原理,對有機物如:黏結劑(瀝青、松香等)、保護性材料(瀝青、樹脂等)、磨邊潤滑油進行溶解。在光學洗凈中,最初用三氯乙烯、芳香烴、氟里昂等作為清洗劑,這類物質雖然溶解性強,但有的易揮發,毒性大,有的對大氣臭氧層有破壞作用,被逐步禁用。現...
    發布時間: 2020 - 05 - 08
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    隨著半導體技術的發展,半導體器件和集成電路內各元件及連線越來越細微,因此制造過程中,塵粒、金屬等的污染,對晶片內電路功能的損壞影響越來越大。因此在制作過程中除了要排除外界的污染源外,集成電路制造工藝過程中均需要對硅片表面進行清洗,以有效地使用化學藥液清除殘留在硅片表面上的各種雜質。硅片是半導體器件和集成電路中使用最廣泛的基底材料,對其表面的清洗是整個硅片制造工藝中極為重要的環節之一。半導體領域中的濕法清洗技術是伴隨設備的微小化及對產品質量要求的不斷提高而提高的,是以RCA清洗技術為基本的框架,經過多年的不斷發展形成。華林科納是一家濕制程設備公司,是國內最早致力于研究濕法設備的企業,多年來與國內眾多半導體企業合作,研制開發適合的半導體清洗機設備。一、設備概況華林科納研發的RCA濕法清洗機,可按照需求定制為不同的尺寸大小。可適用于硅晶片2-12inch。二、適用領域半導體、液晶、MEMS等三、設備用途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備四、設備配置設備主體、電氣控制部分、化學工藝槽、純水清洗槽等;并提供與廠務供電、供氣、供水、排廢水、排氣系統配套的接口等。五、主體構造特點1、設備為半敞開式,主體使用進口WPP15和10mm厚板材,結構設計充分考慮長期工作在酸腐蝕環境,堅固耐用,雙層防漏,機臺底盤采用德國產瓷白PP板,熱焊接而成,可長期工作在酸堿腐蝕環境中2、主體:設備為半敞開式,主體使用進口WP...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    眾做周知,濕法腐蝕和濕法清洗在很早以前就已在半導體生產上被廣泛接受和使用,許多濕法工藝顯示了其優越的性能。伴隨IC集成度的提高,硅片表面的潔凈對于獲得IC器件高性能和高成品率至關重要,硅片清洗也顯得尤為重要。濕法腐蝕是一種半導體生產中實現圖形轉移的工藝,由于其高產出,低成本,高可靠性以及有很高的選擇比仍被廣泛應用。濕法腐蝕工藝濕法化學腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。根據所選擇的腐蝕劑,又可分為各向同性腐蝕和各向異性腐蝕劑。各向同性腐蝕的試劑很多,包括各種鹽類(如CN基、NH 基等)和酸,但是由于受到能否獲得高純試劑,以及希望避免金屬離子的玷污這兩個因素的限制,因此廣泛采用HF—HNO3腐蝕系統。各向異性腐蝕是指對硅的不同晶面具有不同的腐蝕速率。基于這種腐蝕特性,可在硅襯底上加工出各種各樣的微結構。各向異性腐蝕劑一般分為兩類,一類是有機腐蝕劑,包括EPW(乙二胺、鄰苯二酚和水)和聯胺等,另一類是無機腐蝕劑,包括堿性腐蝕液,如KOH、NaOH、NH4OH等。就濕法和干法比較而言,濕法的腐蝕速率快、各向異性差、成本低,腐蝕厚度可以達到整個硅片的厚度,具有較高的機械靈敏度。但控制腐蝕厚度困難,且難以...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    在半導體行業中,用于硅晶圓片和碳化硅晶圓片批量生產的外延爐的內腔因為耐高溫、透光、無物質沾污的需求,基本使用高純度石英材料制作,除了石英鐘罩作為密閉腔體內用途外,為了保證晶體表面生長的氣流均勻性和溫度一致性,另外還會在腔體內放置各種形狀的石英件。石英件的表面在一定次數的外延過程后,表面會沉積多種殘留物質。這些殘留物質在設備維護保養過程中定期清洗,否則會嚴重影響硅晶圓片和碳化硅晶圓片的外延層生長質量。華林科納是國內最早致力于濕法設備的研制單位,多年來與眾多的半導體企業密切合作,研制開發適合的半導體清洗機設備。關于鐘罩清洗機,其中又有臥式或立式的分別。下圖是一個臥式的鐘罩清洗機。它的優點是:1.成熟專業的電氣設計,友好的人機交互界面,提供更好地操作體驗;2.極高的生產效率;3.結合最先進工藝技術,主體材質的整潔可靠,槽體的個性化定制,輔助功能齊全;4.最佳的占地面積,節省空間;5.優越的可靠性;6.獨特的模塊化結構;7.極其便于后期維修。它的特征是:1.可編制程序使得清洗管旋轉,清洗更均勻,更全面;2.配備的PVDF工藝槽,可耐一定濃度的酸堿;3.裝有清洗溶劑的儲備槽(根據使用化學品的數量)放置在工藝槽的后下方—直接注入且內部進行不斷循環,使得清洗更徹底;4.特別的噴淋嘴更益于石英管清洗;5.集成水槍和N2槍,以獲得更好的清洗效果,6.單獨排液系統,將廢棄的藥液統一排放到固定的容器內,...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    隨著我國經濟的不斷發展,化學包裝桶的用量 和清洗回用量一直處于增長狀態,南通華林科納從管理角度我國 包裝桶的清洗和再生基本劃入危廢處理范疇早, 由于包裝桶收集、清洗、利用過程涉及化學物質眾 多,這些化學物質具有腐蝕性、毒性、易燃性、反 應性,廠區安全生產和環境污條防治晃為重要嘰 目前,除個別包裝桶清洗企業外,大部分包裝 桶清洗再生企業均存在安全隱患和環境污染問題, 大量不規范的企業及個人收集、清洗、出售包裝 桶,造成含各種化學品的廢水被隨意排'放,一些容質量控制及安全生產等眾多技術要求和規 范,從包裝桶識別、收集、分類存放、余料收集、 分別清洗、廢物處理處置,再生加工冬過程開展蔔 裝桶清潔星產和污染防治,實現包裝桶清洗行業的 源頭減排、再利用、資源化和無害化化學包裝桶清洗行業生產現狀和問題.我國化學包裝桶收集、清洗和再生利用行業包 含4類企業,一類是原料和產品生產企業,產品相 對單一,使用包裝桶量大,回收自用同類包裝桶, 這些企業一般有較完善處理處置設施;其次是具有 危廢收集處理資質的大、中型綜合包裝桶清洗、再 生企業,具有較完善的處理處置設施,但由于包裝 桶涉及化學物質復雜,或多或少的存在環境問題; 第三是非法收集和清洗企業,有一定規模,具有流 動性,隱蔽性強的特點,但部分也相對固定,沒有 水處理設施或僅有簡陋的水池,一般要實施有價余 料收集;此外,非法個人收集和非法企業...
    發布時間: 2020 - 05 - 08
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    簡單介紹一下晶振。“石英晶振”就是用石英材料做成的石英晶振諧振器產生頻率的作用,具有穩定,抗干擾性能良好,廣泛應用于各種電子產品中。石英晶振是晶振中的一種,晶振的正確分類方法是石英晶振和陶瓷晶振,顯而易見石英和陶瓷就是對晶振材質的區分。石英晶振 是一種用于穩定頻率和選擇頻率的電子元件,已被廣泛地使用在無線電話、載波通訊、廣播電視、衛星通訊、數字儀表、鐘表等各種電子設備中。晶體諧振器和晶體振蕩器的區別石英晶體諧振器是一種無源晶體,石英晶體振蕩器角度來說就是有源晶振。而無源晶體和有源晶振的區別就在于,前者無電壓范圍,后者有電壓;再一個區別就在于后者的價格往往要高于前者價格的幾倍。兩個名次術語如同雙胞胎,僅一字之差。而正是這一字之差使得兩者的屬性參數在電路板中都有著決然不同的角色。如何正確區分石英晶體諧振器和石英晶體振蕩器簡而言之即是晶體諧振器和晶體振蕩器的差別在哪里,我們先不看它的材質。共同點:1、晶體諧振器和晶體振蕩器都有貼片封裝和插件封裝。2、晶體諧振器和晶體振蕩器使用范圍都一致。通信,無線,GPS隨處可見他們的身影。不同點:1、晶體振蕩器價格往往要比晶體諧振器價格高。2、晶體振蕩器參數有電壓單位,晶體諧振器參數不會有電壓單位。3、晶體振蕩器腳位均是4腳以上包括4腳,晶體諧振器通常是2腳或者4腳,不會存在4腳以上的晶體諧振器。4、晶體振蕩器的高度往往要高于晶體諧振器。5、...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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