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    發布時間: 2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多的外延片清洗設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體行業相關清洗設備解決方案。
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    旋轉式噴鍍臺結合微組裝工藝對鍍制工藝的小批量、多規格和特殊應用要求等特點,在6" (150mm)晶圓電鍍系統中采用了傾斜式旋轉噴鍍技術傾斜式旋轉噴鍍單元分由兩個部分組成,一為陰極夾具、旋轉單元、導線電刷、N2 保護單元組成的陰極回轉體,二為三角形槽體、陽極和電力線擋板組成的陽極腔。傾斜旋轉噴鍍結構示意圖如下:從鍍制結構方式、鍍制工藝應用分析可以看出,采用傾斜式旋轉噴鍍有以下幾種優勢。一是這種結構方式易實現槽體密封和附加N2 保護功能。二是在這種鍍制工藝中,陰極的旋轉運動使槽內電場不均問題得以解決,從而提高了鍍制的均勻性。三是呈45°傾斜加陰極旋轉的方式,可以較容易的祛除晶圓表面的氣泡附著及“產生”氣泡的消除。四是采用了多微孔進行鍍液噴射,實現攪拌功能,消除局部PH值、溫度、離子濃度等不均勻帶來的影響。五是采用三角形鍍槽設計最大限度的減少了鍍液的消耗。六是該鍍制結構方式可以滿足多品種、小批量、低成本的生產需求。傾斜旋轉噴鍍技術、工藝優勢斜式三角鍍槽結構本系統采用傾斜式三角形鍍槽結構,鍍槽入口溢流口均與三角形斜邊平行,可得到穩定且不易積累氣泡的流場環境。通過進行相關模擬、仿真和驗證,鍍液入口采用扇形噴咀式結構,可保證鍍液在平行于陰極表面方向上形成均勻而穩定的流場。從而通過改變流場的方法改善了鍍層的均勻性。該結構的另一優點可使電鍍液的用量減至最少程度。 南通華林科納CSE采用傾斜旋轉噴鍍方法進行晶圓電鍍工藝處理,由于結構上的特點,該方法經實驗驗證具有:①結構簡單;②工藝參數控制容易;③有利氣泡的消除;④鍍制均勻性得到提高;⑤鍍制溶液用量少。該方法尤其適應于小批量、多規格的電鍍工藝,同時可以取得較好的鍍制均勻性。圖6為我們所研制的150mm晶圓傾斜旋轉噴鍍系統,目前已批量生產并在工藝線上得到較好的應用,產品已通過技術定型鑒定和用戶驗收。實現的主要工藝指標:最大晶...
    發布時間: 2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l 可選擇指示燈訊及蜂鳴器音樂故障碼功能: 門鎖警告,氣體不足,傳動異常警告 5. 電控系統l  控制器操作介面: 5.7”記憶人機+ PLC可程式自動化控制器(人機 Touch Screen,整合介面) 。l 軟體功能Ø 編輯/儲存 : 製程/維修/警示/編輯/配方/,皆可從操作螢幕上修改。Ø 儲存能力記憶模組...
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    發布時間: 2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在自動模式情形...
    發布時間: 2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,400-8768-096,18913575037
    發布時間: 2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學品柜、歧管箱及閥箱均提供泄漏偵測器與警報功能。CDS系統設備規格 1. 系統主要功能概述設備主要功能:每種化學液體配兩個桶(自動切換)、配兩臺泵(一用一備)、帶過濾器;系統控制單元:配帶OMRON 8”彩色觸摸屏,OMRON品牌PLC系統;2. 操作模式: CDS 系統皆有PLC 作Unit 內部流程控制,操作介面以流程方式執行,兼具自動化與親和力。在...
    新聞中心 新聞資訊
    在半導體濕制程、生物制藥、冶金化工等諸多行業,制程工藝往往需要藥液的高精確控溫,若采用傳統的加熱與外水冷卻的方式來實現控溫,藥液溫度精度誤差大、控溫速率低、防腐性能低等等。而華林科納半導體型電子冷熱器正好彌補以上缺陷。  傳熱的三種基本方式是:熱傳導、對流和輻射。華林科納半導體型電子冷熱器的傳熱方式是屬于熱傳導,熱量從物體內溫度較高的部分傳遞到溫度較低的部分或者傳遞到與之接觸的溫度較低的另一物體的過程稱為熱傳導。通過冷熱交替從而實現熱液-冷液間溫度的傳遞,最終達到用戶需要的溫度(冷熱都可以實現)。  然而,在上述提及的行業中,很多控溫的藥液往往帶有腐蝕性,制程工藝要達到100℃以上高溫,這就需要冷熱交換器用不同的材質來適應不同的材質。作為濕制程設備專業制造商,經過多年研發及更新換代,華林科納公司研發的新型CSE-CHEC-VI電子冷熱器能夠實現各行業95%以上的不同濕制程要求下的精確控溫。  冷熱交換取熱器,包括冷熱交換單元與控制系統兩個部分。冷熱交換單元根據藥液的不同特性,可采用PVDF、PTFE、不銹鋼等不同材質制造。冷熱交換單元內置半導體冷熱交換片、超溫保護單元、漏液保護單元、藥液防腐隔離單元等等。工藝槽的藥液經過防腐泵、過濾器后、半導體冷熱控制單元形成一個閉環控制。根據槽體內的溫度傳感器采集,PID數字閉環調節,重新注入處理槽內。由此,經過不斷循環交換冷熱,將藥液溫度實時控...
    發布時間: 2019 - 07 - 01
    瀏覽次數:35
    在半導體技術的發展過程中,器件的特征尺寸越來越小,光刻工藝也變得越發復雜,而這也導致了下一代光刻技術的成本不斷增加。追求特征尺寸的縮小,就需要減小曝光波長。在比DUV和EUV更先進的下一代光刻技術中,電子束光刻已被證明有非常高的分辨率,但其生產效率太低;X 線光刻雖然可以具備高產率,但X 線光刻的設備相當昂貴。光學光刻成本和復雜的趨勢以及下一代光刻技術難以在短期內實現產業化激發人們去研發一種非光學的、廉價的且工藝簡便的納米技術,即納米壓印技術(Nanoimprint  Lithography,NIL)。1995年,華裔科學家周郁(Stephen Chou)提出了納米壓印技術(Nanoimprint Lithography,NIL)的思想。有別于傳統的光刻技術,納米壓印將模具上的圖形直接轉移到襯底上,從而達到量產化的目的。NIL的基本思想是通過模版,將圖形轉移到相應的襯底上,轉移的媒介通常是一層很薄的聚合物膜,通過熱壓或者輻照等方法使其結構硬化從而保留下轉移的圖形。整個過程包括壓印和圖形轉移兩個過程。相對于傳統的光刻技術,納米壓印具有加工原理簡單,分辨率高,生產效率高,成本低等優點。納米壓印光刻膠與傳統光刻膠的對比納米壓印技術不受最短曝光波長限制,只與模板的精密度有關。因此,對光刻膠性能的要求相對降低了,但是隨著工藝的改變,同樣會引出新的問題,...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:11
    在材料加工科學的不斷推動下,半導體器件和集成電路制作工藝取得了長足進步,發生了巨大變化,但是其中的濕法清洗工藝作為最為有效的半導體晶片洗凈技術,一直未能被取代。隨著晶片表面潔凈要求的不斷提高,清洗工藝的焦點已逐步由清洗液、兆聲波等轉移到晶片干燥上。干燥作為濕法清洗的最后一個步驟,最終決定了晶片的表面質量,是清洗工藝的核心所在。  在各種晶片的干燥中,尤以襯底拋光片的干燥最為困難,它不僅要求表面達到脫水效果,還要避免在表面留下任何水痕缺陷或顆粒。為達到這種要求,以設備為依托的各類干燥技術發展迅速。  1.1離心甩干技術  離心甩干是通過外力使晶片短時間內達到高速旋轉的狀態,晶片表面的水受到離心力作用而從表面消失的干燥技術。這種干燥方式由于簡單可靠,在晶片清洗領域得到了廣泛應用。根據晶片運動方式的不同,離心甩干又分為立式離心甩干和水平式離心甩干(見圖 1 和圖 2),雖然二者的脫水原理相似,但是由于運動方式的不同,在工藝上有很大的差異。為保證晶片的潔凈,一般在干燥步驟之前,會增加一步藥液、去離子水旋轉噴淋過程,對表面進行二次潔凈。為保證干燥效果,甩干過程中將引入熱氮氣,對晶片進行吹拂。  影響甩干效果的因素有很多,如轉速的設置, 氮氣的流量,排氣通路的設計、腔體的密閉性和旋轉產生的共振等。  離心甩干的優點是技術成熟穩定,干燥后的表面均一性好,不易產生水印;缺點是僅適合半導體前道的裸片...
    發布時間: 2019 - 06 - 28
    瀏覽次數:129
    目前在半導體工業生產中,普遍采用RCA清洗技術清洗拋光硅片,今天我們介紹一種溶浸式濕法化學清洗,串聯的SC1和兆聲去除顆粒,含O3的去離子水工藝形成均勻硅氧化膜,最后用IPA干燥。IPA干燥是利用IPA的低表面張力和易揮發的特性,取代硅片表面的具有較高表面張力的水分,然后用熱N2吹干,達到徹底干燥硅片水膜的目的。此種干燥工藝比傳統的離心式甩干法、真空干燥法、單純熱N2干燥法在降低金屬和顆粒站務的引入及干燥速度方面有較大的有事。但此工藝在有片盒干燥的過程中易產生邊緣目檢缺陷的缺點。針對這點,我們在生產中總結了一下經驗,并通過控制將此缺陷降到可控范圍內。1、硅片進入IPA干燥腔后,通過片盒支架的特殊設計,使拋光面自動與片盒脫離接觸。這樣IPA蒸氣可充分分布到拋光面表面,有利于均勻的干燥。2、PFA片盒作為硅片的載體,由于材料微觀多孔的特性,經過反復烘干,孔被放大,加上長時間的化學溶浸,少量化學物質吸附在PFA的孔內,烘干后易在硅片上行程邊緣缺陷,因此定期處理PFA片盒是很必要的。作為濕制程設備專業制造商,南通華林科納半導體設備有限公司對IPA干燥系統有豐富的生產經驗和產線使用驗證,為硅片的清洗、干燥提供有效的保障。 更多清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,18913575037
    發布時間: 2019 - 06 - 26
    瀏覽次數:81
    在光學冷加工中,超聲波清洗是如何實現洗凈目的的呢?一般來說,清洗工藝主要以干燥的方式命名,如 IPA 工藝,是指利用 IPA(異丙醇)蒸汽進行脫水干燥的清洗工藝,純水工藝是指利用熱純水慢提拉或冷純水甩干的方式進行干燥的清洗工藝。當然,還有其他的命名方式。經過不斷的變化、發展,光學冷加工中的清洗工藝主要以 IPA 工藝和純水工藝為主。  IPA干燥  IPA 工藝包括四個流程:洗滌、漂洗、脫水、干燥。    因為洗滌過程分溶劑清洗和水基清洗,所以有不同的工藝:有先進行溶劑清洗、溶劑蒸汽干燥再進行水基清洗;也有先進行溶劑清洗,再用乳化劑溶解溶劑,再進行水基清洗的。顯然,后者在流程上更流暢、緊湊,對設備要求也簡單。經過洗滌后的鏡片表面不會有結合牢固的污垢,僅可能有一些清洗劑和松散污垢的混合物。    我們知道,無機光學玻璃是一種過冷的熔融態物質,沒有固定的分子結構,它的結構式可描述為二氧化硅和某些金屬氧化物形成的網狀結構。其骨架結構為鍵能很大的硅氧共價鍵,外圍是鍵能小、易斷裂的氧與金屬離子形成的離子鍵。在洗滌時,由于超聲場和化學洗劑的共同作用,某些硅氧鍵含量少或者外圍鍵能特別小的的材料易于在清洗過程中發生變化而導致洗滌效果不良。所以,選擇性能溫和的洗劑、合適的洗劑濃度、溫度、超聲功率、洗滌時間對保證鏡片的清洗質量十分重要。    利用流水將洗滌后鏡片表面的洗劑和污物溶解、排除的過程稱為漂...
    發布時間: 2019 - 06 - 11
    瀏覽次數:71
    近年來衍射光柵技術、全息術、傅里葉光學和計算全息等技術推動了衍射光學理論的發展,特別是在衍射光學器件方面的研究已經達到了實用化的水平。衍射光學器件的特點DOE的特點則是具有高衍射效率、獨特的色散性能、更多的設計自由度、寬廣的材料可選性,并具有特殊的光學性能,因此DOE成為實現離軸照明的理想元件。一般用于光刻系統離軸照明的DOE,其子單元個數需衍射的概念光沿著直線傳播,當光穿過一個小孔或經過一個輪廓分明的邊緣時,沿小孔邊緣產生了干涉圖形,結果得到了一個模糊的圖像,而不是希望出現在光和陰影之間的清晰邊緣,光看上去沿狹縫邊緣彎曲了。這種現象被稱做衍射。衍射光學器件的主要應用1.光束整形(1)平頂光束整形“ Top-Hat ”或“ Flat-Top ”光束整形是衍射光學器件(DOE),用于將近高斯入射激光束轉換為圓形,矩形,正方形,線形或均勻強度(平坦)點或在特定工作平面中具有鋒利邊緣的其他形狀。頂帽(平頂)光束整形器的典型應用包括:激光燒蝕,激光焊接,激光穿孔,激光劃線,醫療和美學激光應用。(2)光束擴散器/光束勻質器英文名為BeamHomogenizer / Optical Diffuser,使用勻化鏡能把單模或多模的準直輸入光束,轉換為能量分布高度均勻的光斑。光斑的波長和形狀輪廓都可自定義,形狀一般為圓形、正方形、直線、長方形、六邊形、橢圓形等任意形狀。光束均化鏡在許多需要明確定義光...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:12
    一、無源晶振與有源晶振的對比1. 無源晶振是有2個引腳的無極性元件,需要借助于時鐘電路才能產生振蕩信號,自身無法振蕩起來,無源晶振需要用DSP片內的振蕩器,在datasheet上有建議的連接方法。無源晶振沒有電壓的問題,信號電平是可變的,也就是說是根據起振電路來決定的,同樣的晶振可以適用于多種電壓,可用于多種不同時鐘信號電壓要求的DSP,而且價格通常也較低,因此對于一般的應用如果條件許可建議用晶體,這尤其適合于產品線豐富批量大的生產者。2. 有源晶振有4只引腳,是一個完整的振蕩器,里面除了石英晶體外,還有晶體管和阻容元件 。有源晶振不需要DSP的內部振蕩器,信號質量好,比較穩定,而且連接方式相對簡單(主要是做好電源濾波,通常使用一個電容和電感構成的PI型濾波網絡,輸出端用一個小阻值的電阻過濾信號即可),不需要復雜的配置電路。有源晶振相比于無源晶體通常體積較大,但現在許多有源晶振是表貼的,體積和晶體相當,有的甚至比許多晶體還要小。二、無源晶振與有源晶振的優缺點無源晶振相對于晶振而言其缺陷是信號質量較差,通常需要精確匹配外圍電路(用于信號匹配的電容、電感、電阻等),更換不同頻率的晶體時周邊配置電路需要做相應的調整。使用時建議采用精度較高的石英晶體,盡可能不要采用精度低的陶瓷晶體。相對于無源晶體,有源晶振的缺陷是其信號電平是固定的,需要選擇好合適輸出電平,靈活性較差,...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
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    微納光學是目前新型光電子產業的重要發展方向,在光通信、光互聯、光存儲、半導體器件等諸多領域,發揮了巨大的作用。微納光學的結構技術是指通過將微納光學結構引入到相關的材料中,制成新型光學功能器件。微納光學就是利用微結構材料作為光學元件的光學分支。它的結構的設計和制造是微納光學技術發展的關鍵性問題,所以微納光學成為了新型光電子產業發展的關鍵性突破。它的主要優點就是能在局域電磁相互作用的基礎上實現許多全新的功能,成為21世紀國家不可或缺的關鍵科學和技術。微納光學現有技術與特點微納光學制造技術以LIGA工藝為基礎,主要經過光刻、電鑄制模和微納米壓印三個主要工藝步驟。(1)光刻光刻是半導體技術中晶圓制造的關鍵工藝,通過表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、檢測等一系列生產步驟將晶圓表面薄膜的特定部分除去,在晶圓表面留下帶有微圖形結構的薄膜。這些所有成果都必須建立在一片干凈的晶圓上。可想而知,半導體清洗設備就發揮了非常大的作用。國內也是有多家濕法清洗設備廠商,其中熟知的華林科納就是一家濕制程設備專業制造商,主要從事半導體濕制程設備的設計、研發、生產及銷售。目前光刻技術傳遞圖形的尺寸限度縮小到亞微米級,已從常規光學技術發展到應用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術;成為一種精密的微細加工技術。微納光學制造技術采用光刻技術在激光原版上形成具有微納尺寸的細微結構,即...
    發布時間: 2020 - 04 - 29
    瀏覽次數:12
    在許多大學、研究所,研究員在實驗室做實驗時,往往需要配比很多不同類型的溶液。這些溶液有酸堿液、有機液,人工配液時接觸,不僅存在安全隱患,還經常存在配液比例不準確,效率低下的問題。同時,由于人工反復不斷的配比,人在疲倦的時候容易出錯,還易造成藥液的浪費。  華林科納公司設計的CSE-LIQOUR-II自動配液機,專為解決以上問題而研發,可以適用于各類化學生物制藥工藝實驗室,是用來滿足藥液自動配比的設備,通過稱重、流量計準確計量、氣壓輸送或注塞抽取等方式將藥液按照比例輸送,配液精確度能夠達到2‰。  該配液機由配液控制單元與配液稱量單元兩部分組成。配液控制單元由顯示操作區域、外接原液桶裝置與計算控比裝置組成,通過操作區域輸入化學藥液的濃度、配比比例與需要的藥液量,經過計算控比裝置的精確計算,將幾種藥液進行混合配比,從而實現藥液的精確配比。同時,配有精確的配液稱量單元,最高配液分辨率可達到0.01g。除了可以用量杯進行大規格的調制之外,還可以配備標準試管支架,以用來固定試管,進行精確地試管配比。  該配液機能夠達到高精準、高效率的配液,并具有抗腐蝕性、毒性、耐壓、防燃防爆等功能,保證操作者安全;通過計算控比單元與機臺界面自動化,實現自動控制操作的運轉;接觸部分與絕大多數化學品(如硫酸H2SO4、硝酸HNO3、磷酸H3PO4、鹽酸HCL、氫氟酸HF、緩沖氧化物刻蝕液BOE等酸性溶液;氨水N...
    發布時間: 2019 - 06 - 28
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    發布時間: 2019 - 02 - 12
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