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    始于90年代末

    濕法制程整體解決方案提供商

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    2017 - 12 - 06
    在LED外延及芯片制造領域,濕法設備占據約40%以上的工藝,隨著工藝技術的不斷發展,濕法設備已經成為LED外延及芯片制造領域的關鍵設備,如SPM酸清洗、有機清洗、顯影、去膠、ITO蝕刻、BOE蝕刻、PSS高溫側腐、下蠟、勻膠、甩干、掩膜版清洗等。南通華林科納CSE深入研究LED生產工藝,現已形成可滿足LED產業化項目需求的全自動濕法工藝標準成套設備。 LED 芯片的制造工藝流程為:外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。 CSE-外延片清洗機設備 設備名稱南通華林科納CSE-外延片清洗機設備可處理晶圓尺寸2”-12”可處理晶圓材料硅、砷化鎵、磷化銦、氮化鎵、碳化硅、鈮酸鋰、鉭酸鋰等應用領域集成電路、聲表面波(SAW)器件、微波毫米波器件、MEMS器件、先進封裝等專有技術系統潔凈性技術均勻性技術晶圓片N2干燥技術模塊化系統集成技術自動傳輸及精確控制技術溶液溫度、流量和壓力的精確控制技術主要技術特點系統結構緊湊、安全腔體獨立密封,具有多種功能可實現晶圓干進干出采用工控機控制,功能強大,操作簡便可根據用戶要求提供個性化解決方案設備制造商南通華林科納半導體設備有限...
    2016 - 03 - 07
    刻蝕方法分為:干法刻蝕和濕法刻蝕,干法刻蝕是以等離子體進行薄膜刻蝕的技術,一般是借助等離子體中產生的粒子轟擊刻蝕區,它是各向異性的刻蝕技術,即在被刻蝕的區域內,各個方向上的刻蝕速度不同,通常Si3N4、多晶硅、金屬以及合金材料采用干法刻蝕技術;濕法刻蝕是將被刻蝕材料浸泡在腐蝕液內進行腐蝕的技術,這是各向同性的刻蝕方法,利用化學反應過程去除待刻蝕區域的薄膜材料,通常SiO2采用濕法刻蝕技術,有時金屬鋁也采用濕法刻蝕技術,國內的蘇州華林科納CSE在濕法這塊做得比較好。下面分別介紹各種薄膜的腐蝕方法流程:二氧化硅腐蝕:在二氧化硅硅片腐蝕機中進行,國內腐蝕機做的比較好的有蘇州華林科納(打個廣告),腐蝕液是由HF、NH4F、與H2O按一定比例配成的緩沖溶液。腐蝕溫度一定時,腐蝕速率取決于腐蝕液的配比和SiO2摻雜情況。摻磷濃度越高,腐蝕越快,摻硼則相反。SiO2腐蝕速率對溫度最敏感,溫度越高,腐蝕越快。具體步驟為:1、將裝有待腐蝕硅片的片架放入浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)中浸泡10—15S,上下晃動,浸潤劑(FUJI FILM DRIWEL)的作用是減小硅片的表面張力,使得腐蝕液更容易和二氧化硅層接觸,從而達到充分腐蝕;2、將片架放入裝有二氧化硅腐蝕液(氟化銨溶液)的槽中浸泡,上下晃動片架使得二氧化硅腐蝕更充分,腐蝕時間可以調整,直到二氧化硅腐蝕干凈為止;3、沖純水;4、甩干。...
    2016 - 03 - 07
    SPM腐蝕清洗機設備——華林科納CSE華林科納CSE濕法處理設備是國內最早致力于集成電路濕法設備的研制單位,多年來與眾多的集成電路生產企業密切合作,研制開發出適合于4吋-8吋的全自動系列濕法處理設備。其中SPM自動清洗系統設備主要用于LED芯片制造過程中硅片表面有機顆粒和部分金屬顆粒污染的自動清洗工藝。設 備 名  稱南通華林科納CSE-SPM腐蝕酸洗機適 用 領  域LED外延及芯片制造設 備 用 途硅晶片化學腐蝕和清洗的設備基 本 介 紹主要功能:通過對硅片腐蝕、漂洗、等方式進行處理,從而達到一個用戶要求的效果可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等被清洗硅片尺寸:2-8寸(25片/藍)設備形式:室內放置型操作形式:自動設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096;18913575037更多的全自動半導體SPM腐蝕清洗機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2016 - 03 - 07
    枚葉式清洗機-華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-單片枚葉式洗凈裝置的特長:單片式清洗裝置的優點(與浸漬.槽式比較)1.晶片表面的微粒數非常少(到25nm可對應)例:附著粒子數…10個/W以下(0.08UM以上粒子)(參考)槽式200個/W2.藥液純水的消費量少藥液…(例)1%DHF的情況  20L/日純水...每處理一枚晶片0.5-1L/分3.小裝置size(根據每個客戶可以定制) 液體濺射(塵埃強制除去)  (推薦)清洗方法單片式裝置的Particle再附著問題   更多的半導體單片枚葉式濕法腐蝕清洗設備相關信息可以關注華林科納CSE官網(www.hlkncas.com),現在熱線咨詢400-8768-096;18913575037可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2018 - 01 - 23
    單片清洗機-華林科納CSESingle wafer cleaner system南通華林科納CSE-自動單片式腐蝕清洗機應用于清洗(包括光刻板清洗)刻蝕 去膠 金屬剝離等;可處理晶圓尺寸2'-12';可處理晶圓材料:硅 砷化鎵 磷化銦 氮化鎵 碳化硅 鈮酸鋰 鉭酸鋰等;主要應用領域:集成電路   聲表面波器件  微波毫米波器件  MEMS  先進封裝等  設 備 名 稱CSE-單片清洗機類  型單片式適 用 領 域半導體、太陽能、液晶、MEMS等清 洗 方 式2英寸——12英寸設備穩定性1、≥0.2um顆粒少于10顆2、金屬附著量:3E10 atoms/ cm²3、純水消耗量:1L/min/片4、蝕刻均一性良好(SiO?氧化膜被稀釋HF處理):≤2%5、干燥時間:≤20S6、藥液回收率:>95%單片式優點1、單片處理時間短(相較于槽式清洗機)2、節約成本(藥液循環利用,消耗量遠低于槽式)3、良品率高4、有效避免邊緣再附著5、立體層疊式結構,占地面積小 更多的單片(枚葉)式清洗相關設備可以關注南通華林科納半導體官網,關注http://www.jeans-you.com ,400-8768-096,18913575037
    2016 - 03 - 10
    PP通風櫥---華林科納CSE南通華林科納半導體CSE-PP通風柜 專為氫氟酸及硝化類濃酸設計的實驗室通風櫥,克服了傳統通風柜在高溫濃酸環境下易生銹、變黃、龜裂等缺陷,具有的耐酸堿性能。適用行業:適用于各類研究實驗室---半導體實驗室、藥物實驗室 【產品描述】設備名稱南通華林科納CSE-PP通風柜產品描述【柜體】:采用厚8-12mm瓷白色PP制作,耐酸堿性能優異。經CNC精確裁切加工后,同色同質焊條熔焊修飾處理,表面無銳角。【上部柜體】:排氣柜采用頂罩式抽氣設計,設計有1個∮250mm排風口。導流板采用同質PP材料制作,耐酸堿性能優異。安裝尺寸科學合理,無氣流死角,獲取最大的廢氣捕捉性能。【操作臺面】:臺面采用12mmPP板制作,耐酸堿性能優異。通風柜臺面上水槽根據用戶要求配置。【下部柜體】:儲物柜體,中間加一層隔板。鉸鏈采用黑色塑料鉸鏈,耐腐蝕性能好。拉手采用同質C型PP拉手。【調節門】1. 調節門玻璃:采用厚4mm透明亞克力玻璃制作,耐酸堿性能優異。2.調節門邊框:為厚瓷白色PP板c型槽,嵌入式結合,以確保安全及耐用性。  3.調節門懸吊鋼索:每臺通風柜調節門鋼索連接。4.調節門平衡配重:采無段式配重箱設計,其上下行程具靜音軌道予以限制避免搖晃碰撞。【電器設備】1.開關:按鈕帶燈式自鎖開關,包含風機開關,照明開關,總電源開關。2.照明設備...
    2016 - 06 - 06
    廢氣處理系統-南通華林科納CSE南通華林科納半導體CSE 的廢氣處理系統可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa; 設備名稱南通華林科納CSE-廢氣處理系統系統說明1.可處理氣體:酸性氣體、堿性氣體、其它特殊氣體,負壓范圍為:-500Pa 至 -1500Pa;2.工藝穩定,負壓波動在15%.3.電壓:380V,三相五線,8KW;4.采用英國廢氣處理系統工藝,CSE在原工藝上經過升級改造,新的系統推出市場后,客戶反映效果較好;系統工作原理為酸性/堿性/其它特殊氣體處理系統,主要由以下幾大部分組成:負壓腔、正壓腔、初級錐形噴淋塔、三級噴淋凈化塔、高壓射流器、抽風孔、負壓動力泵、循環噴淋泵、電控系統;廢氣經過一級錐形噴淋塔進入負壓腔內(每個噴淋塔中間為傘裝型噴頭,對廢氣層形成水封,瞬間中和廢氣)、通過射流器產生負壓把負壓腔內的廢氣抽入正壓腔內中和(在負壓腔與正壓腔之間設有三級噴淋凈化塔,三級噴淋凈化塔內配有PP填料,配有噴嘴,再次充分噴淋中和廢氣)、處理完的氣通過正壓腔上的排氣口排出。成功案例河北普興電子有限公司上海新傲半導體有限公司上海硅酸鹽研究所中試基地蘇州納維科技有限公司設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多半導體行業廢氣處...
    2016 - 12 - 05
    花籃/片盒清洗機-華林科納CSE 完美適應當前所有型號的花籃和片盒、傳輸片盒、前端開口片盒(Foup片盒)的清洗和干燥系統優點裝載晶圓直徑至200mm的花籃和片盒—或不同晶圓尺寸的花籃和片盒,同時可裝載晶圓直徑至300mm的前端開口片盒(Foup片盒)三種設備尺寸滿足客戶特殊需求 CleanStep I – 用于4組花籃和片盒加載和清洗能力:每次4組花籃和片盒清洗產能:每小時12組花籃和片盒 CleanStep II – 用于8組花籃和片盒加載和清洗能力:每次8組花籃和片盒清洗產能:每小時24組花籃和片盒 CleanStep III – 用于6組前端開口片盒(Foup)加載和清洗能力:每次6組前端開口片盒(Foup片盒)清洗產能:每小時18組前端開口片盒(Foup片盒) 適用于晶圓直徑至200mm的花籃和片盒的標準旋轉籠(Cleanstep I/II) 適用于所有片盒一次清洗過程 或是同時4組花籃和片盒,或是12個花籃(Cleanstep I/II) 簡單快捷的對不同尺寸的片盒和花籃進行切換 旋轉籠內的可旋轉載體方便加載或卸載花籃和片盒 通過控制系統對自鎖裝置的檢測,達到安全加載片盒和花籃,及其運行特征和優點可應用不同化學品(稀釋劑)來清洗 泵傳輸清洗液 計量調整可通過軟件設置控制操作熱水噴淋裝置 熱水一般由廠務供應 — 標準化 或有一個體積約100升的熱水預備槽(循環泵...
    2016 - 06 - 22
    雙腔甩干機1. 應用范圍:l 本機臺適用於半導體7”晶圓(含)以下之旋乾製程.l 設備為垂直式雙槽體機臺,可同Run 50~100片.l 可對旋乾步驟進行可程式化控制 (Recipe Program).l 具使用在此設備已超過20年以上的應用馬達控制系統設計, 高穩定度Rotor 設計, 震動值均控制於300 um 以下.l 高潔淨設計,微塵控制於每次運轉增加量, 0.3um , 30顆以下.   2. 操作流程3. 圖示 4. 規格l 機臺內皆使用鐵氟龍製DI , N2 控制閥件l 直流式馬達: DC無刷馬達750Wl 真空負壓軸封設計,隔離槽外污染l 不銹鋼N2過濾器 0.003~0.005μml 氣體加熱器及加熱墊控制乾燥速率l 壓力感測保護(加熱器空燒保護)l 槽外貼Silicon材質加熱墊 x1 片, 220VAC , 300W(溫度開關90°C OFF 70°C ON)l  Viton材質充氣式氣囊及槽後密封環,保持室外絕緣l 不銹鋼槽體SS316經拋光及電解研磨l 單顆螺絲固定轉子,並按客戶需求指定使用訂做l 轉子經拋光及電解研磨,並做動態平衡校正l&...
    2016 - 03 - 08
    IPA干燥設備-華林科納CSE南通華林科納CSE-IPA干燥設備主要用于材料加工 太陽能電池片 分立器件 GPP等行業中晶片的沖洗干燥工藝,單臺產量大,效率高設備名稱南通華林科納CSE-IPA干燥設備應用范圍適用于2-8”圓片及方片動平衡精度高規格工藝時間: 一般親水性晶圓片: ≤10 增加 @ 0.12 μm疏水性晶圓片: ≤30 增加 @ 0.12 μm金屬含量: 任何金屬≤ 1?1010 atoms / cm2 增加干燥斑點: 干燥后無斑點IPA 消耗量: ≤ 30 ml / run 設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037IPA 干燥系統組成: IPA干燥工藝原理 01: IPA干燥工藝原理 02:更多的IPA干燥系統設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗解決方案。
    2016 - 12 - 05
    單腔立式甩干機-華林科納CSE南通華林科納CSE-單腔立式甩干機系統應用于各種清洗和干燥工藝設備名稱南通華林科納CSE-單腔立式甩干機優    點 清洗系統應用于各種清洗和干燥工藝 不同配置(可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔) 適用于晶圓尺寸至200mm 最佳的占地,設備帶有滾輪可移動 優越的可靠性 獨特的模塊化結構 極其便于維修 易于使用和操作一般特征 適用于晶圓直徑至200mm 25片晶圓單盒工藝 標準的高邊和低邊花籃 可選內置電阻率檢測傳感器來控制晶圓的清洗工藝 用冷或熱的N2輔助晶圓干燥 離心頭容易更換 圖形化的界面: 基于PLC的彩色5.7“的觸摸屏 可以編輯10多個菜單,每個菜單可有10步 多等級用戶密  去靜電裝置安裝于工藝腔室區 去離子水回收 電阻率監測裝置 機械手自動加載 可放置臺面操作的設備、單臺獨立、雙腔 SECS/GEM 去離子水加熱系統 底座置放不銹鋼滾輪 溶劑滅火裝置 適用特殊設計的花籃設備制造商南通華林科納半導體設備有限公司 www.jeans-you.com 400-8768-096 ;18913575037更多的單腔立式甩干機設備相關資訊可以關注華林科納CSE官網(www.jeans-you.com),現在熱線咨詢400-8768-096可立即獲取免費的半導體清洗...
    2016 - 03 - 07
    自動供酸系統(CDS)-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-CDS自動供酸系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-CDS自動供酸系統設備型號CSE-CDS-N1507設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有...
    2017 - 12 - 06
    氫氟酸HF自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-氫氟酸供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式 設備名稱南通華林科納CSE-氫氟酸(HF)供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關...
    2017 - 12 - 06
    GMP自動供液系統-南通華林科納CSEChemical Dispense System System 南通華林科納半導體CSE-GMP自動供液系統 適用對象:HF、HN03、KOH、NH4OH、NaOH、H2SO4、HCL、 H2O2、IPA等主要用途:本設備主要用于濕法刻蝕清洗等制程工程工序需要的刻蝕液集中進行配送,經管道至設備;具有自動化程度高,配比精確,操作簡便等特點;具有良好的耐腐蝕性能。控制模式:手動控制模式、自動控制模式設備名稱南通華林科納CSE-GMP自動供液系統設備型號CSE-CDS-N2601設計基準1.供液系統(Chemical Dispense System System)簡稱:CDS2. CDS 將設置于化學房內:酸堿溶液CDS 系統要求放置防腐性的化學房;3. 設備材質說明(酸堿類):酸堿溶液CDS外構采以WPP 10T 板材,內部管路及組件采PFA 451 HP 材質;4. 系統為采以化學原液 雙桶/單桶20L、200L、1t等方式以Pump 方式運送到制程使用點;5. 過濾器:配有10” PFA材質過濾器外殼;6. 供液泵:每種化學液體配有兩臺或者一臺 PTFE材質的進口隔膜泵;7. Empty Sensor & Level Sensor:酸堿類采用一般型靜電容近接開關;8. 所有化學...
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    華林科納的經營理念
    誠信  創新  發展  共贏
    第一

    比客戶對自己的需求了解更多,提供最可靠,最高性價比,最小破損的處理工藝

    Than the customer needs to learn more on their own, provide the most reliable, cost-effective, minimal damage treatment process

    第二

    不斷提高濕處理工藝及設備標準,實現整個處理鏈的最優化性能

    And continuously improve the wet process equipment standards, for optimal performance of the entire processing chain

    第三

    與客戶合作研究,達成最優的定制工藝處理方案

    Collaborative research with customers to achieve optimal customized process solutions

    華林科納的發展優勢
    國際水準,引領未來
    從模具設計到組裝,因為自己的生產線的快速反饋
    生產
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    專業的設計團隊提供專業設計服務!
    縮短同行業公司10%
    交貨
    價格
    質量全過程控制,提高生產的能力,可以受益于我們的客戶
    半導體電子行業
    太陽能光伏行業
    化工石油冶煉行業
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    企業社會責任 —— 客戶服務華林科納始終圍繞客戶需求,以解決問題的態度,憑借多年積累的技術優勢和豐富的實踐經驗,分別在清洗系統、刻蝕系統、CDS系統、尾氣處理系統等廣泛領域,為各行業提供針對性解決方案,滿足不同客戶日益豐富的個性化需求。同時,華林科納在求新求變的過程中,以“更加貼近”客戶的服務理念,用更優質的服務為客戶創造更多的價值,保障客戶權益不受侵害。
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    華林科納動態
    • number of clicks: 99
      Date updated: 2019 - Apr - 22
      在華林科納公司領導和各部門員工的不懈努力下,經過認證機構資深專家的現場審核,華林科納半導體設備有限公司環境管理體系各方面實施效果均已達到ISO14001:2015標準的要求,順利通過了ISO14001的認證審核,向華林科納正式頒發ISO14001:2015環境管理體系認證證書。  作為國內著名的半導體濕制程設備供應商,華林科納不僅追求在技術、產品質量、服務等各方面領先,而且積極履行對環境保護的社會義務,為全球環境與可持續發展做出貢獻。 此次能順利通過ISO14001:2015環境管理體系認證,是對華林科納環境體系管理工作的高度肯定,今后將嚴格按照環境管理體系認證的要求,不斷完善優化公司環境管理體系各項工作。
    • number of clicks: 27
      Date updated: 2020 - May - 8
      衍射光學是基于光的衍射原理,利用計算機設計衍射圖,并通過微電子加工技術在光學材料只做表面浮雕的元件,由于衍射光學元件及其靈活的控制波前,集多功能與一體和可復制的優良特性視光學系統及器件向輕型化,微型化和集成化發展。到了90年代至今,衍射光學元件的研究已成為光學界的前沿工作。隨著衍射光學元件應用領域的拓展,大面積衍射元件的需求越來越多。濕法刻蝕技術是低成本制作特征尺寸及寬深比較大衍射光學元件較好的方法之一,特別在解決大口徑元件的刻蝕均勻性方面具有很大優勢。衍射光學自身具有許多優點使得它廣泛地應用于各種光學系統或微光機電系統中,各種衍射光學元件目前已成為光通訊和光互聯中的關鍵元件,對它們的性能分析和設計具有重要的理論意義和應用價值。與傳統折反射光學元件比較,衍射光學元件(DOE)的光學處理功能非常靈活。DOE可以在極小的體積內,集成多種光學功能于一體,產生傳統光學難以實現的各種光場分布。針對衍射光學元件的濕法刻蝕工藝,華林科納研究了濕法刻蝕的化學機理,摸索了相關的規律,得到了有效控制刻蝕速率的方法,不同腐蝕條件下所對應的刻蝕速率。為基于工藝條件的優化設計方法提供依據,得到了制作工藝中的加工依據。公司具備獨立的設計、制造及應用技術,能夠為客戶提供從咨詢、設計、到制造的專業化、定制化整體解決方案。
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      Date updated: 2020 - May - 8
      濕法化學腐蝕是最早用于微機械結構制造的加工方法。所謂濕法腐蝕,就是將晶片置于液態的化學腐蝕液中進行腐蝕,在腐蝕過程中,腐蝕液將把它所接觸的材料通過化學反應逐步浸蝕溶掉。用于化學腐蝕的試劑很多,有酸性腐蝕劑,堿性腐蝕劑以及有機腐蝕劑等。濕法腐蝕工藝由于其低成本,高產出,高可靠性以及其優良的選擇比是其優點而仍被廣泛接受和使用。華林科納經過多年的生產經驗及技術的不斷改良,使得我們的設備在工藝路徑及技術要求上得到穩步的提高,濕法腐蝕設備正朝著以下方向發展:a.自動化b.在微處理器控制下提高在腐蝕狀態下的重復性,以幫助工藝工程師提供更良好的控制,阻止人為因素的影響。c.點控制過濾控制,以減小腐蝕過程中缺陷的產生d.自動噴淋設備的開發。所有這些,都使濕法腐蝕有一個更美好的前景。濕法腐蝕機理濕法腐蝕的產生一般可分為3步:1:反應物(指化學藥劑)擴散到反應表面2:實際反應(化學反應)3:反應生成物通過擴散脫離反應表面在實際應用中,濕法腐蝕通常用來在SI襯底或薄膜上生成一定的圖形,光刻版是典型的被用于覆蓋所期望的表面區域防止被腐蝕液腐蝕掉,而光刻版在腐蝕后常被去掉,因此在線擇濕法腐蝕工藝時,必須線擇腐蝕液,合適的形成版的材料(光刻膠)必須具有良好的抗腐蝕能力,良好的完整覆蓋特性,光刻膠常被用來作為版層材料,但有時邊緣的黏附性差,常采用HMDS以增強其黏附性濕法腐蝕反應時可能存在多種反應機理,許多反應是一種或多種反應共同作用的結果,最簡單的一種是在溶液中溶解。影響濕法腐蝕的因素濕法腐蝕質量的好壞,取決于多種因素,主要的影響因素有:1:掩膜材料(主要指光刻膠)顯影不清和曝光強度不夠,會使顯影時留有殘膠,通常會使腐蝕不凈。2:須腐蝕膜的類型(指如SIO2.POLY,SILICON等)3:腐蝕速率:腐蝕速率的變化會使腐蝕效果發生改變,經常會導致腐蝕不凈或嚴重過腐蝕,從而造成異常4:浸潤與否:由于在濕...
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      Date updated: 2020 - Apr - 29
      RCA標準清洗法是1965年由Kern和Puotinen 等人在N.J.Princeton的RCA實驗室首創的,并由此而得名。CSE華林科納RCA清洗是一種典型的、普遍使用的濕式化學清洗法,是去除硅片表面各類玷污的有效方法,所用清洗裝置大多是多槽處理式清洗系統。該清洗系統主要包括以下幾種藥液:(1)SPM:H2SO4 /H2O2 120~150℃ SPM具有很高的氧化能力,可將金屬氧化后溶于清洗液中,并能把有機物氧化生成CO 2和H2O。用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有機沾污和部分金屬,但是當有機物沾污特別嚴重時會使有機物碳化而難以去除。(2)HF(DHF):HF(DHF) 20~25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附著在自然氧化膜上的金屬將被溶解到清洗液中,同時DHF抑制了氧化膜的形成。因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金屬,DHF也可以去除附著在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。用DHF清洗時,在自然氧化膜被腐蝕掉時,硅片表面的硅幾乎不被腐蝕。(3)APM (SC-1):NH4OH/H2O2 /H2O 30~80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一層自然氧化膜(SiO2),呈親水性,硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH 4OH腐蝕,因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中,從而達到去除粒子的目的。在 NH4OH腐蝕硅片表面的同時,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜。(4)HPM (SC-2):HCl/H2O2/H2 O 65~85℃ 用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。 CSE華林科納清洗基本步驟:化學清洗—漂洗—烘干。硅片經過不同工序加工后,其表面已受到嚴重沾污,一般硅片表面沾污大致可分在三類:1、有機雜質沾污:可通過有機試劑的溶解...
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      Date updated: 2020 - May - 8
      刻蝕是把進行光刻前所淀積的薄膜中未被光 刻膠覆蓋的部分用化學或物理的方式去除,用以完成掩模圖像的轉移。刻蝕是半導體器件和集成 電路的基本制造工藝,分為濕法刻蝕和干法刻蝕。 濕法刻蝕是通過化學刻蝕液和被刻蝕物質之間的 化學反應將被刻蝕物質剝離下來的方法;干法刻 蝕的刻蝕劑是等離子體,是利用等離子體和表面 薄膜反應,形成揮發性物質,或直接轟擊薄膜表面 使之被腐蝕的工藝。雖然濕法刻蝕在保證細小圖 形轉移后的保真性方面不如干法刻蝕,但由于生 產成本低、產能高、適應性強、表面均勻性好、對硅片損傷少、其優良的選擇比在去氧化硅、去除殘留 物、表層剝離以及大尺寸圖形刻蝕等方面有著廣 泛的應用。濕法刻蝕的特點是:反應生成物必須是氣體或能溶于刻蝕劑的物質,否則會造成反應物沉 淀,影響刻蝕的正常進行;濕法刻蝕一般為各向同性,即水平方向和垂直方向的速率是相同的,這樣會導致側向出現腐蝕。因此,刻蝕后得到的圖形結構不是理想的垂直墻;濕法刻蝕過程常伴有放熱和放氣現象,影響刻蝕速率,使得刻蝕效 果變差。  提高濕法設備刻蝕均勻性的方法 刻蝕均勻性是一種衡量刻蝕工藝在晶片內及晶片之間刻蝕一致性的參數,是保證芯片產品質 量的關鍵指標之一。刻蝕速率和刻蝕剖面與圖形 尺寸及密度是影響刻蝕均勻性的原因,刻蝕均勻性與選擇比有密切的關系,非均勻性刻蝕會產生額外的過刻蝕。刻蝕溶液的溫度控制 刻蝕溶液溫度是硅濕法刻蝕工藝重要工藝參 數之一,對硅刻蝕速率產生較大影響。一般隨著溶 液溫度的升高,刻蝕速率急劇增大,刻蝕同樣深度 所需的時間相應減少。通常硅濕法刻蝕是在刻蝕 工藝槽內完成,為了提高產能,一次需要處理幾十片,并且刻蝕過程化學反應劇烈,為放熱反應,伴有大量熱量放出,導致刻蝕溶液溫度迅速升高,腐 蝕速率加快,影響刻蝕效果,甚至產生過刻蝕現 象。工藝溫度越高,刻蝕的晶片數量越多,刻蝕反 應越劇烈,溫度越難...
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      Date updated: 2020 - May - 8
      超聲波清洗技術的基本原理,大致可以認為是利用超聲場產生的巨大作用力,在洗滌介質的配合下,促使物質發生一系列物理、化學變化以達到清洗目的的方法。當高于音波(28~ 40KHz)的高頻振動傳給清洗介質后,液體介質在高頻振動下產生近乎真空的空腔泡,空腔泡在相互間的碰撞、合并、消亡的過程中,可使液體局部瞬間產生幾千大氣壓的壓強,如此大的壓強使得周圍的物質發生一系列物理、化學變化。這種作用稱為“空化作用”: 1. 空化作用可使物質分子的化池鍵斷裂,引起各種物理變化(溶解、吸附、乳化、分散)和化學變化(氧化、還原、分解、化合)等;2. 當空腔泡的固有頻率和超聲頻率相等時,可產生共振,共振的空腔泡內聚集了大量的熱能, 這種熱能足以使周圍物質化學鍵斷裂而引起物理、化學變化。3. 當空腔泡形成時,兩泡壁間因產生極大的電位差而引起放電,致使腔內氣泡活化進而引起周圍物質的活化,從而使物質發生物理、化學變化。 超聲場為清洗提供了巨大的能量,但還需化學洗劑作為介質。一般將化學洗劑分為兩類,一類是有機溶劑,主要是根據相似相溶的化學原理,對有機物如:黏結劑(瀝青、松香等)、保護性材料(瀝青、樹脂等)、磨邊潤滑油進行溶解。在光學洗凈中,最初用三氯乙烯、芳香烴、氟里昂等作為清洗劑,這類物質雖然溶解性強,但有的易揮發,毒性大,有的對大氣臭氧層有破壞作用,被逐步禁用。現國內多采用一些上述物質的改進產品或某些碳氫化合物做溶劑。目前使用較多的另一類清洗劑是以表面活性劑為主要成分的水基清洗劑,其清洗原理簡單地說是由于表面活性劑的分子結構中同時含有親油基的親水基,具有極性和結構不對稱的特點。正是這種特點使得它能極大降低水溶液的表面張力,使物體表面易于潤濕,表面污物易于被溶解,分散在清洗液中而達到洗滌的目的。 超聲波清洗就是在液體清洗介質中,利用超聲場產生的巨大...
    企業行業新聞
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      Date updated: 2020 - May - 8
      5月7日,北京監管局披露了國開證券股份有限公司關于北京天科合達半導體股份有限公司(以下簡稱“天科合達”)首次公開發行股票并在科創板上市輔導工作報告(第二期)。國開證券和天科合達于2019年12月6日簽署《北京天科合達半導體股份有限公司與國開證券股份有限公司關于首次公開發行股票并上市輔導協議》,并于2019年12月12日取得中國證監會北京監管局輔導備案受理。官網資料顯示,天科合達于2006年9月由新疆天富集團、中國科學院物理研究所共同設立,目前注冊資本為10364.2866萬元,是一家專業從事第三代半導體碳化硅(SiC)晶片研發、生產和銷售的高新技術企業。2017年4月10日,天科合達在新三板掛牌上市,2019年8月12日終止新三板掛牌。天科合達為全球SiC晶片的主要生產商之一,目前其在碳化硅單晶行業世界排名位于第四位,國內排名居前列,晶片產品大量出口至歐、美和日本等20多個國家和地區,是我國少數進入國外知名大企業的高技術產品。(來源:全球半導體觀察 )
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      Date updated: 2020 - May - 8
      硅芯片是當代信息技術的核心,當前正向“深度摩爾”(More Moore)和“超越摩爾”(More than Moore)兩個方向發展。物聯網(IoT)應用是“超越摩爾”技術路線中相當重要的一環,需要數量巨大的集成電路芯片來分析處理來自外部傳感器件的海量信號。目前,大多數傳感信號采集器件和信號處理單元均為分離設計,將在整體上產生更大功耗并占據更大的空間。由此,復旦大學材料科學系教授梅永豐課題組提出了將信號檢測和分析功能集成于同一個芯片器件中的全新概念。作為演示,研究團隊將單晶硅薄膜柔性光電晶體管與智能薄膜材料相結合和組裝,構造了對不同環境變量進行檢測和分析的柔性硅芯片傳感器及其系統。這一思路不僅具有優異的可擴展性,還可與當前集成電路先進制造工藝相兼容。5月2日,相關研究結果以《面向智能數字灰塵的硅納米薄膜光電晶體管多功能集成傳感器研究》(“Silicon Nanomembrane Phototransistor Flipped with Multifunctional Sensors towards Smart Digital Dust”)為題發表在《科學進展》(Science Advances)上。研究團隊從器件的傳感機理入手,利用柔性薄膜組裝集成芯片傳感器,實現了多種環境參數探測功能的集成。 研究團隊開發了將智能材料與光電傳感結合的新穎傳感機制,并將傳感模塊與后續信號處理等模塊集成在一起,展示了其在氣體濃度、濕度、溫度等多種環境參數檢測方面的能力,已經初步具備了未來的“智能數字灰塵”的雛形。該策略也可以應用于其他的數字傳感系統,在后摩爾時代中將具有巨大的應用潛力。論文主要由李恭謹博士,博士研究生馬喆和尤淳瑜合作完成,并獲得韓國延世大學Taeyoon Lee教授和中科院微系統所狄增峰研究員的合作支持。該工作得到國家自然科學基金委、上海市科委、復旦大學和專用集成電路...
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      Date updated: 2020 - May - 8
      晶科能源董事長李仙德“這三個月,我們親歷了太多“第一次”。第一次封城;建國以來第一次推遲全國兩會;第一次體會災難面前人人平等,不管你有錢沒錢,有權沒權。不僅個人,世界經濟也用多個第一次極大地回應了市場,第一次2周內美股四度熔斷;第一次股市、債市和黃金市場出現共振;第一次不管美聯儲怎么放水,全球央行如何推進負利率政策,強心劑不起作用;第一次油價來到25美元一桶;第一次很多產業直接進入息業狀態。第一次,我們不知所措……這場全球性的疫情影響了每一個人,打亂了我們的計劃、我們的生活節奏,也改變了我們的工作方式。令我驚訝的是,無論是居家辦公、遠程視訊、高峰錯時出勤、我們的員工很快就適應了,自律、體諒且有條不紊地推進工作,讓我本想復工第一天給大家點鼓勵都覺得是多余了。我要感謝產線上的一線工人和干部們,他們不得不留在崗位現場,遵守公司相關防疫防護規定,抓緊生產,補回產能,完成交付,兌現客戶承諾。我也要感謝我們分布在世界各地的銷售,口罩急缺情況下,不是先想到自己和家人,而是擔憂客戶和他們的家人需要,奔走協調,幫助解決口罩需求。100萬只在路上的口罩,帶著晶科人手心的溫暖,正發向地球的各個角落。如果說這次疫情能夠讓我們堅定一個信念的話,那就是光伏將發揮著更為不可或缺的作用,支撐著下一步世界復蘇最關鍵的新基建投資,特別是綠色、低碳的電力設施新建設,從而拉動需求,提供就業、加速能源轉型。我們要從百年難遇的“危”中看到百年難遇的“機”。各國政府和金融機構對于疫情、氣候變化此類全球性的災難的感受力會大大不同,之后的政策行動力和執行力也會大大不同;油價崩潰實際效果是聯手打壓了美國頁巖氣行業,摧毀美國的油氣生產能力,反而會促進美國被迫更重視新能源投入;曠日持久的零利率甚至負利率政策將從歐美日衍生到其他國家,低融資成本進一步提升新投建光伏電站的發電優勢和投資價值,零電費不是沒有可能;基建投資熱潮中,舊的火...
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      Date updated: 2020 - Apr - 29
      4月28日,浪潮廈門產業園開園暨正式投產儀式在廈門隆重舉行。去年“九八”投洽會期間,浪潮集團與廈門市簽署合作協議,建設浪潮廈門產業園項目。項目從簽約到場地交付僅用時2個月、從場地交付到投產地也僅用時2個月,連續創造了廈門市重大項目談判落地的多項紀錄,是廈門市與浪潮集團深化戰略合作的重要成果。浪潮廈門產業園坐落于火炬湖里園,是一座自動化、智能化、柔性化和透明化的現代制造工廠,將打造集全球領先的制造工藝與智能技術為一體的浪潮服務器和PC終端研發制造基地,現已建成兩條全球領先的智能化產線,生產效率提升30%,預計年產60萬臺PC終端。浪潮集團作為“云+數+AI”新型互聯網企業,始終堅持自主研發,以技術立企,在我國信息產業發展的每個時代,都以創新的產品與服務引領產業發展,成為信息產業的開拓者和引領者。IDC最新數據顯示,浪潮服務器蟬聯全球市場前三、中國市場第一;浪潮AI服務器中國市場占有率超過50%;浪潮云正為25個省、220+地市和百萬家企業提供云服務;同時,浪潮在工業互聯網、政府數據運營、智慧城市和健康醫療大數據等領域位居中國前列。浪潮廈門產業園項目的落地,顯著提升了廈門市計算機與通訊設備產業的規模,填補了廈門市信息技術應用創新整機制造和系統軟件研發領域的空白,是廈門市一年來招商引資工作的標志性成果之一。(出自:廈門火炬高新區管委會)
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      Date updated: 2020 - Apr - 29
      福州新聞網4月28日訊   在位于福州高新區的省重點建設項目——第三代半導體數字產業園施工現場,卡車往來穿梭,各類機械在基坑里緊張作業,一片繁忙景象。 隨著新冠肺炎疫情防控形勢持續向好,生產生活秩序加快恢復,高新區推動省市重點項目滿負荷施工,爭取把受疫情影響的建設進度“搶”回來。樁基施工擬6月底完成據介紹,位于高新區生物醫藥園和機電產業園(簡稱兩園)的第三代半導體數字產業園于2019年三季度開工建設,預計2021年建成投產。該產業園占地65513平方米,總建筑面積87550平方米,計容建筑面積104170平方米,總投資50995萬元。建設內容包括4棟4層標準廠房、2間門房、263個機動車停車位、876個非機動車停車位,以及供水、供電、排水、道路、污水處理等配套設施。項目完工后,將與高新區海西園的數字經濟產業園相呼應,形成大園區加特色產業園相結合的產業格局,并通過打造一批高品質精細化民生設施,提升高新區的城市品質。一直以來,在市委、市政府大力指導和幫助下,高新區準確把握當前電子信息產業的發展方向,高效率推進、高品質服務、高標準建設,全力推進第三代半導體數字產業園落地動建。該工程樁基共計1358根,截至4月22日共施工完成280根,預計6月底完成樁基施工。全面賦能平臺招大引強與此同時,高新區全面賦能平臺招大引強,依托已落地“兩園”的福建省電子信息集團,引進一線龍頭企業項目——海峽星云國產整機先進智能制造基地。項目將基于國產芯片,創建、培育和發展福建本地高端計算整機品牌,推動高端通用國產整機研制,開展高端整機全國產化替代與應用示范,形成具有獨特優勢和特色的區域整機品牌。該項目分三期建設,首期計劃投資10億元,目標到2020年底實現年產10萬臺高端整機;二期規劃于2021年開工,計劃總投資20億元,目標到2022年實現年產30萬臺;遠期規劃2024年開工,計劃總...
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      Date updated: 2020 - Apr - 21
      新冠病毒的來臨,讓全社會嚴陣以待。全球不斷攀升的確診人數對半導體市場和供應鏈都造成了一定壓力。然而壓力面前,具有前瞻性的企業卻不懼疫情影響,逆勢而上,增資提產,為今后長期的發展提前做好準備。這些消息釋放出來也極大地提振了全行業的士氣。形勢嚴峻新冠病毒向行業施壓2019年,全球半導體行業進入下行周期,智能手機、PC、筆記本電腦等需求放緩導致了半導體市場的下滑。專家原本預測2020年半導體或將重回上升軌道,5G的部署與AI的需求將成為推動半導體行業復蘇的強勁動力。然而,新型冠狀病毒肺炎疫情的突然發生,為半導體行業回暖帶來不確定性。集邦咨詢認為,疫情擴大使得未來終端需求能見度降低,尤以專注于智能手機與消費性電子領域的IC設計業,2020年第二季度營收可能受到較大影響。集邦咨詢修改了2020年第一季度智能手機生產總數的預估,下調至2.75億只,較去年同期衰退約12%,為近5年來新低。疫情帶來壓力的同時,也推動人們對網絡通信給予更多的依賴與重視。市場重新評估數據中心、人工智能的價值。一大批人工智能、5G芯片企業產品加速落地。研究機構預計,2020年我國人工智能市場將再續輝煌,市場規模將達到42.5億美元,預計年增長率約為51.5%。而在5G通信方面,華為中國運營商業務部副總裁楊濤預測,到2023年,與5G相關的半導體收入將達到208億美元以上。雖然疫情的爆發帶給半導體產業些許沖擊,然5G與AI的帶動作用依舊值得期待。隨著5G商用進程的加速、AI、物聯網等創新技術快速發展。“新基建”風口帶來的巨大的市場機遇,也將給代工行業帶來更多機會。不畏艱難逆行者增資提產2020年雖然迎來一個令人沮喪的開局,其中卻也不乏令人振奮的聲音。新型冠狀病毒肆虐的同時,有著無數逆行者在與無形病毒斗爭。與此同時,眾多集成電路領域企業加急復工復產,同樣為這場戰“疫”做出了貢獻,提供著基礎電子產品上的物資保障。聯芯...
    FAQ / 服務中心
    • 2016 - 05 - 31
      公司名稱:南通華林科納半導體設備有限公司公司地址:中國江蘇南通如皋高新區桃金東路90號郵編: 226000電話:0513-87733829郵箱: sales@hlkncse.com
    • 2016 - 03 - 23
      華林科納人才招聘半導體工藝開發工程師崗位職責:1、負責硅工藝、第三代半導體材料的清洗、濕法腐蝕、去膠等設備提升和工藝開發;2、參與臨時項目研發團隊,負責工藝技術研發活動。根據項目需求,分析工藝難點,制定完備的工藝研究方案;3、獨立負責干法、濕法刻蝕工藝,進行刻蝕工藝菜單的調試;及其優化滿足工藝集成要求;4、通過許多監控系統和原因分析,提出設備問題,并為設備改善提出建設性建議;5、根據具體情況,配合業務人員跟客戶溝通設備相關事宜。任職要求: 1、大學本科學歷(含)以上, 理工科專業;2、微電子學和固體電子學、物理、化學、半導體器件專業優先考慮;3、具體半導體光刻、鍍膜、化學清洗、刻蝕等工藝經歷及相關半導體設備使用經歷優先考慮;3、具有3年以上半導體器件工藝開發工作經歷,熟悉工藝流程;4、具有獨立工作的能力和團隊合作的精神,能在困難和挫折中繼續尋求解決問題的途徑;  銷售技術工程師崗位職責:1、根據公司的發展戰略,積極開拓市場,尋找機會,挖掘客戶需求;2、能根據客戶需求提供項目解決方案,并負責客戶的項目的發現、跟蹤、商務洽談、合同簽訂以及區域銷售目標的達成;3、負責區域大客戶的關系維護與拓展;4、及時收集并反饋客戶信息和市場情況,并制定有效的銷售策略;5、配合領導負責建立并提升公司品牌形象,奠定良好的市場基礎。任職要求:1、光電、半導體物理、材料、化學化工等相關專業;本科以上學歷,2年以上工作經驗;2、熟悉大客戶銷售,有具體實際項目操作經驗者優先;3、有良好的個人素養,勤奮踏實、認真負責的精神以及良好的團隊合作精神;4、有較強的適應能力和應變能力以及優秀的溝通能力和商務談判能力者優先考慮 市場銷售(應屆生)崗位職責:1.負責日常銷售助理、行政和商務接待工作。2.公司部分老客戶的回訪、商機發掘、關系維護、訂單處理等工作。3.開發新客戶,拓展...
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